偏振调制型传感器PPT.pptVIP

* * K — 物质光弹性常数；P — 施加在物体上的压强；L — 光波通过材料的长度。 此时出射光强为： * * * * * * * * * * * * * * 一束光在各向同性介质（如玻璃）的表面所产生的折射光只有一束，这是一般的常识。然而，对于光学性质随方向而异的一些晶体（各向异性介质），一束入射光常有被分解为两束的现象，这就是双折射现象。请注意，这种现象不是因为不同频率的光在介质中的折射率不同而产生的，而是由于各向异性介质的折射率对不同入射角的光不是常数而产生的。通过各向异性介质折射的光，若对于任意的入射角，其入射角的正弦与折射角的正弦值比为一常数（即通常所说的折射率）时，这种光称为寻常光，简称为o光；若其入射角的正弦与折射角的正弦值比随入射 * * * * * * * 压电晶体、在与光照正交的方向上加以高压电场。式中：n0 — 正常折射率；de — 电光系数；U — 加在晶体片上的电压；λ— 光波长；L — 晶体长度；d — 场方向晶体厚度。 * 压电晶体、在与光照正交的方向上加以高压电场。式中：n0 — 正常折射率；de — 电光系数；U — 加在晶体片上的电压；λ— 光波长；L — 晶体长度；d — 场方向晶体厚度。 * 压电晶体、在与光照正交的方向上加以高压电场。式中：n0 — 正常折射率；de — 电光系数；U — 加在晶体片上的电压；λ— 光波长；L — 晶体长度；d — 场方向晶体厚度。 * 压电晶体、在与光照正交的方向上加以高压电场。式中：n0 — 正常折射率；de — 电光系数；U — 加在晶体片上的电压；λ— 光波长；L — 晶体长度；d — 场方向晶体厚度。 * * * * * α-晶体的旋光率,与入射光波长有关 * * * 1 电光效应 某些晶体在外加电场的作用下，其折射率随外加电场的改变而发生变化的现象称为电光效应，利用这一效应可以对透过介质的光束进行幅度,相位或频率的调制，构成电光调制器。 电光效应分为两种类型： （1）一级电光（泡克尔斯—Pockels）效应，介质折射率变化正比于电场强度。 （2）二级电光（克尔—Kerr）效应，介质折射率变化与电场强度的平方成正比。 Pockels 效应（一次电光效应） 线性电光效应 横向电光效应 Pockels 效应（一次电光效应） 横向电光效应 当相差 时，所加电压 称为半波电压 Pockels 效应（一次电光效应） 单晶电光材料 磷酸二氢钾（KH2PO4，简称KDP） no=1.51，λ=546nm时，半波电压 比克尔盒要求的电压低得多 磷酸二氢胺（NH4H2PO4，ADP） 开关响应时间也极短 10-9s，可用作超高速开关，激光调Q，显示技术，数据处理… Pockels效应 Kerr二次电光效应 克尔效应（Kerr effect）(1875年) 克尔盒内充某种液体，如硝基苯（C6H5NO2） 不加电场→液体各向同性→P2不透光 加外电场→液体呈单轴晶体性质，光轴平行 透光 l + - 45? 45? P1 P2 克尔盒 d 时，克尔盒相当于半波片－P2透光最强 硝基苯 ，设l =3cm，d = 0.8cm， 则λ= 600nm， 优点：响应时间?10-9s－用于光开关、高速摄影、激光通讯、光速测距、脉冲激光系统（作为Q开关） 缺点：如硝基苯有毒，易爆炸，需极高纯度和高电压，故现在很少用。 Kerr盒 l + - 45? 45? P1 P2 克尔盒 d 2 2 旋光效应 晶体和溶液的旋光性 单轴晶体（如方解石）? 光线沿光轴传播时不发生双折射(o光和e的传播方向和波速都一样) 垂直于光轴切割出一块平行平面晶片?从偏振片I透出来的线偏振光经过此晶片时偏振状态没有改变，在偏振片II之后仍然消光。 用石英晶体实验时发现：要使偏振片II之后消光，必须将偏振片II的透振方向向左或向右旋转一个角度ψ 石英的旋光现象 P2 P1 检偏器 石英晶片 起偏器 c c 3-7 旋光效应 旋光现象、旋光性(optical activity)与旋光物质 晶体:振动面旋转角度ψ与晶片厚度d 成正比 溶液:ψ还与溶液的浓度C成正比，即 应用：在制糖、制药和化工等方面 ? ? 旋光物质 d 3 磁致旋光效应 磁致旋光(magnetic opticity) 人工方法产生旋光性法拉第旋转（Faraday rotation） 1846年,法拉第发现 应用 隔离器－非互易性?即只允许光从一个方向通过，而不能从反方向通过的光阀门。在激光的多级放大装置中 磁光材料