MOCVD生长InGaN薄膜及其离子束背散射沟道研讨.pdfVIP

MOCD生长InGaN薄膜及其离子束背散射沟道研究* 李述体 彭学新 王立 熊传兵 李鹏 辛勇 姚冬敏 莫春兰 江风益 {南.大学材料科学研究所，用吕3900,7) .井采用.]CVD暇筑以AI,O.为衬鹰在CAN腆上生长了IgC.,.,N娜月.以卢活福份胜肘/沟道 (BS/chm.li.)技术和光致 发光 (汽)铁术时工4G-,JN禅昌进行了侧试。研究衰明在一定范日，阵低份1./790.比，I.W 麟的生长道举，大，合金的In 里分反而提离.降低生长沮度，合全的In姐分提高，但 InGaN成的生长沼率减小。In厦子的份位率在所侧试的Io姐分范. (0.40-0.26)均在叨西以上，衰明In眼子舀处于.位位Z.工nGaN门月的拍.品展翩工n姐分的月大而且，下一。得到的尽魔 为田7n.的玩日翔，J娜胶的璐沟道级低产翻为4.1%.研究幼果还表明工，‘心的几讼基受较多因.，晌.很月抽确翻定工， 组分.百以旧出位术.到的的果是可.的。 I、引 言 三元化合物InGaN材料，随In摩尔组分的变化，其禁带宽度可在1.950V到3.4cV范 围内调节，适合作为GaN墓发光二极管 (LED)和徽光器 (LD)的有源区。近年，己制 备出InGaNf子阱结构高亮度蓝光、绿光和黄光LED[]和紫光f蓝光橄光器2[1。尽管近年 来对MOCVD生长KGa,浏 材料的研究较多，但采用MOCVD技术仍难以生长出In组分 达200/.，各种性能较好的InGaN薄膜。城Gal不 薄膜一般在GaN膜上生长 其组分和厚 度确定较为困难。从原理上来说，其x值可用X射线双晶衍射技术得到，但由于GaN与 InN之间的晶格失配高达 110/.，在InGal浏 层中会有大的应力，考虑到应力作用，用X 射线双晶衍射技术不能准确测定x值。InGaN的玩组分还可用光致发光 (PL语)技术得 到，但PL诺有时受到杂质、缺陷、束缚激子等因素的影响，扭曲系数b也有多个不同的值， 且由于存在大的弹性应力，会导致禁带宽度的改变，由PL谱得到的x值也值得怀疑.由 于InGaN和GaN层间没有明显界限，用扫描电子显徽镜等方法也只能观察其形貌，难以精 确侧定各层厚度。而RBS/channeling技术是一种十分有效且快掩无损地研究异质外延薄膜 的手段。迄今为止，有关 InGaN的研究文章中较少应用这一手段[31。我们以MOCVD技术生 长了In,Gal_N薄膜.采用RBS/channeling技术和光致发光光技术对本实验室生长的 In,Ga,-N样品进行了分析，研究了TMIn/TEGa比和生长温度对InGaN薄膜生长的影晌。 2,实 验 采用本所研制的立式MOCVD系统在GaN单晶膜上生长了InGaN薄膜。衬底早蓝宝石 梦 (0001)面，以纯度达6N的TEGa,TML:和蓝氨 (B-N眺)分别为Ga源、In源和N派.生 长前先在 1100c高温处理衬底 10分钟，再降至520℃生长厚度约 15.的GaN级冲层，随 后升温到 1060*C恒温6分钟，使缓冲层重新结晶，之后在 1060℃生长厚度约1--2“.的GaN 单晶膜。待GaN单晶膜生长完毕后，再降至所需温度生长lnGaN薄膜。InGaN/GaN/A1203样 品的RBS/channeling图谱是在中国科学院上海冶金研究所离子束技术开放实脸室侧试的， 入射He离子的能f为为2.OMeV，束流垂直于靶面入射，束斑约为 I.ox1.0m,探侧背散 射角为1650。样品PL谱的激发光源是He-Cd激光器325nm线，功率为15uw. 3,结果与讨论 图1,2分别是样品B和样品D的背散射/沟道的实验谱和模拟谱。In