PI表面化学沉铜前处理的微观分析研究.pdfVIP

ofthe surfaceof aftereach Microanalyysis polyimide beforeelectroless copperplating PI表面化学沉铜前处理的微观分析 Code：S-066 Paper 胡光辉1’2李大树1蒙继龙2 安捷利(番禺)电子实业有限公司1 华南理工大学机械工程学院2’ 摘要：讨论了聚酰亚胺(PI)沉铜前处理过程对孔内沉铜空洞的可能影响，利用扫描电子显微镜分析 了每道前处理后PI的微观表面状态。实验表明，只有当PI表面被PI调整剂粗化后方可以提高沉铜 层与PI之间的结合力，而且沉铜层与PI间的结合力还与沉铜时间相关。 关键词：聚酰亚胺 化学沉铜 前处理 Abstract：thisdiscussesthe effectofthe of onthe in paper probable pretreatmentpolyimideemptycopper thehole．And electronic wasusedto themicrostructureof after scanning microscope analyze polyimide made each resultsindicatethat when was coarse，the between pretreatment．The only polyimide binding and couldbeenhanced．Andthe isalsorelatedto time． copperdepositpolyimide binding deposition electroless Keywords：polyimidecopperplatingpretreatment 260 挠性印制线路多层板在孔内沉铜过程中，会发生孔内镀铜层空洞、铜环连接不良、铜镀层薄等 现象，产生孔内沉铜不良的因素很多，如钻孔、电荷调整、孔内残胶、PI表面光滑等等。由于孔内 沉铜不良的部分容易发生在聚酰亚胺(PI)表面上，故本文将通过孔内壁的处理过程考察PI表面的微 观变化现象，以期找到影响PI上沉铜不良的原因。 1实验部分 1．用四层挠性印制线路板钻的孔壁为样品，分别经过等离子、PI调整、活化、沉铜等步骤。采用 美国PLASMAETCH)进行等离子清洗，使用Nz、02、CF4三种气体， 等离子蚀刻机(型号：MKl卜l， 进行实验。PI调整剂控制50c，调整6分钟；活化前先预浸5分钟，后浸入胶体钯槽活化7分钟， 之后于解胶槽解胶3分钟。 S-3000N进行测试，EDS采用英 2．扫描电子显微镜(SEM)和能谱分析(EDS)，SEM采用日本HITACHI 7021-H(mode．1)进行分析。 格兰HORIBA 2结果与讨论 2．1钻孔后的孔壁 因钻孔质量通常影响孔内沉铜的效果，如钻孔导致的残胶、粗糙、分层等。图lSEM显示孔壁 上未发现残胶、分层等现象，孔壁表面有一些亮点，对该亮点进行EDS能谱分析，发现亮度组成含 61．67wt％C、17．37wt％O、2．64wt％A1、13．28wt％Cu，表明亮度为钻孔过程中产生的