高能Xe离子辐照引起的注碳aSiO2中新结构的形成研究.pdf

! 第(- 卷! 第( 期 原 子 核 物 理 评 论 09NO (- ，P97 (! ! (##’ 年’ 月 PQN/1K RSTB3B G/U3/V WQ:7 ，(##’! ! ! 文章编号：##$ % ’($ （(##’ ）#( % #)* % #+ 高能! 离子辐照引起的注碳# ：$%’ 中新结构的形成! ，( ，, 赵志明 ，王志光 ，宋! 银 ，金运范 ，孙友梅 （ 中国科学院近代物理研究所，甘肃 兰州! $-#### ； ( 中国科学院研究生院，北京! ###* ） 摘! 要：先用(# ./0 的碳离子注入非晶二氧化硅1 ：234 薄膜，再用能量为 $+ 5/0 的6/ 离子 ( 辐照。注碳量为+ 7 # 8 # ’ —)7 ’ 8 # $ 39:; =( ，6/ 离子辐照剂量为 7 # 8 # 和+ 7 # 8 # 39:; =( 。辐照后的样品中形成的新结构用显微傅立叶变换红外光谱仪进行测试分析。结果表明， 6/ 离子辐照引起了注碳1 ：234 中23— ，— ，23—4— 键以及4 和4 分子的形成与演化。 ( ( 在注碳量较高时，6/ 离子辐照在样品中产生了大量的23— 键。与注入未辐照和辐照的低注碳量 样品比较，增强的23— 键的形成，预示着辐照可引起注碳1 ：234 样品中的23 结构相变。 ( 关 键 词：离子注入；高能离子辐照；1 ：234 ；新结构 ( 中图分类号：4+$ ! ! ! 文献标识码：? () 引言 本工作利用傅立叶变换红外光谱技术，分析研 究 $+ 5/0 的高能6/ 离子辐照在注碳1 ：234 样 ( ! ! 离子注入技术具有能够精确控制离子注入深度 品中引起的化学键变化以及新织构的形成。 和浓度等独特的优点，在材料表面和近表面改性、 半导体掺杂以及特殊功能材料合成诸多领域得到了 ’) 实验 广泛应用。离子注入技术与硅半导体工艺具有优良 ! ! 实验选用的1 ：234 薄膜是利用高温湿氧化法在 的兼容性，在硅基特殊功能材料如光电子材料的研 ( 究中具有重要的应用前景。离子注入可在 234( 中 D 型单晶硅（ ）面上生长而成的。碳离子注入在 中国科学院近代物理研究所的