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高温高饱和磁通密度MnZn功率铁氧体材料研究进展 颜冲，林曼，付中元，包大新，葛洪良 (中国计量学院 东磁研究院，浙江杭州 310018) 摘要：随着电子器件的小型化和高效率化，在电子电气设备中对小型、高效的变压 器的需求越来越大。对MnZn铁氧体磁心材料除了在高温下功耗低的要求外，还要求在高 温下能保持高的饱和磁通密度。本文综合分析了高温高饱和磁通密度、低功耗MnZn铁氧 体材料的开发要点及其最新进展。 关键词：MnZn功率铁氧体；高温高饱和磁通密度；低功耗 个人电脑、网络通讯、信息家电、汽车电子等I下技术的飞速发展，对电子器件提出 了愈来愈高的要求。随着电子器件的小型化和高效率化，在电气电子设备中对小型、高效 率的变压器的需求越来越大。特别是作为车用变压器线圈产品的MnZn铁氧体磁心材料， 为了使之在外界气温变化和发动机室发热等恶劣温度条件下也能起作用，除了要求在高温 下功耗低外，还要求在高温条件下能保持很高的饱和磁通密度(B。)。而且普通的电气电 子产品所用的线圈产品如果使用具有高饱和磁通密度的MnZn磁心材料，也同样可控制因 自发热等造成的饱和磁通密度的下降，并能实现线圈的小型化设计。 1 高B。、低功耗MnZn软磁铁氧体的开发难点 高B。、低功耗MnZn软磁铁氧体的开发，其技术难点在于一种材料上同时实现高饱和 磁通密度和低损耗。一般而言，要实现高饱和磁通密度，主配方中Fe203的含量较高，ZnO 含量较低；而要实现低损耗，则要求主配方中Fe203的含量较低，ZnO含量较高。图1示 出了MnZn铁氧体最佳性能项目的主配方组成【lJ。从图中看出实现高饱和磁通密度(B。区 域)和低损耗(Q区域)的两个最佳性能区域的主配方组成没有重叠。对于某一温度下材 料的B。(T)，有如下关系式成立12J： 图1 实现MnZn铁氧体最佳性能项目的主配方组成 Bs(T)-Bs(0)．(扣一} 127 式中B。(T)为测定温度下材料的饱和磁通密度；B。(O)为绝对零度下材料的饱和磁通密 度：P为材料的实际烧结密度；P，为材料的理论密度；T为测定温度；Tc为材料的居里 温度；r为一常数，其值大约在0．52之间。从式(1)可以看出，要提高MnZn铁氧体 材料的高温Bs，可从提高材料的B。(0)、p、Tc三个方面人手。 MnZn铁氧体材料的B。(O)和Tc，由材料的主配方决定。正如图1所示，高B。材料 的主配方，Fe203含量较高，ZnO含量较低。而要使材料的高温B。高，则主要考虑提高材 用富铁主配方外，加入适量的NiO和Li20有利于高温Bs的提高。但富铁配方的选择、 NiO和Li20的加入，会使材料的磁晶各向异性常数Kl和磁致伸缩系数九。增大，使材料的 功耗特性恶化。 提高材料的烧结密度被认为是提高MnZn铁氧体材料B。的另一条有效途径。文献【3】 对粉末冶金工艺中材料的烧结密度与成型密度、成型时的粉体粒径和烧结体的晶粒大小之 间的关系进行了详细分析，其分析结果可用下式给出： Ig出．生堡)：k。．Ig旦 (2) 5 。Pg pf—Ps‘ Ro 式中P。为理论密度；P。为成型密度，Ro为成型时的粉体粒径，P。为烧结密度，R为烧 结体的晶粒直径，k。为一常数。计算结果表明，随着烧结体晶粒直径的增大，烧结密度 提高。对MnZn铁氧体而言，增大晶粒直径使材料烧结密度提高，增大了材料的B。，但由 于材料的涡流损耗与晶粒直径的平方成正比，势必使材料的功耗特性恶化。 所以提高MnZn铁氧体材料的B。和降低材料的功耗是一对矛盾，问题在于如何在二者 之间找到一个最佳结合点。 2高温高B。功率MnZn铁氧体材料研究进展 PC90发展历程。其中PC50材料主要应用在高频领域，本文暂且不予讨论。众所周知，从 00℃、1 PC30材料到PC47材料，在降低功耗方面取得了长足进步，使100kHz、200mT测 试条件下的体积功耗(P钾)从PC30的600kW／m3降到PC47的250kW／m3，但材料B。的 材料100