PCIV法在GaN载流子浓度测试中的应用研究.pdfVIP

274 六届全国固体 薄膜 学术会议论文 PCIV法在GaN载流子浓度测试中的应用 汪雷 卢焕明李剑光 袁骏 叶志镇 (浙江大学硅材料国家重点实验室 杭州 31002 一、引言 传统上测量半导体材料载流子浓度的方法主要有C-V技术和霍尔效应，但是对GaN薄 膜而言，前者因目前还没找到合适的腐蚀液而束手无策:后者，由于利用霍尔效应测量出 的载流子浓度中不可避免含有过渡层的信息，影响正确评价GaN的电学性能(11。进一步而 言，GaN材料的生长主要是为了制作器件，在最简单的发光二极管的制备中，必须生长出 P一N结，众所周知利用霍尔仪无法对该种结构载流子浓度和电阻率的纵向分布作出精确的 测量。目前我室利用新近购置的SSM-350点接触测量仪中PCIV(点接触电流电压)技术， 对GaN中的载流子浓度、电阻率的纵向分布测量作了一些实验，并取得了较为满意的结果。 SSM350系统是美国固态测量公司 (SOLID STATEMEASUREMENTSINC.)制造 的，具有世界先进水平的测试仪。包括两个互为补充的点接触测试技术即SRP(扩展电阴 法)、和PCIV(点接触电流电压法).两者结合可剖析宽范围