PECVDSiC薄膜激光退火实验研讨.pdfVIP

PECVDSiC 薄膜激光退火实验研究 罗 睿 郭辉 张海霞 王 煜 李素兰 张秀兰* 张国炳 （北京大学微电子研究院，微米/纳米加工国家重点实验室，北京 100871 ； * 中国科学院物理所光物理开放实验室，北京 100080 ） SiC 薄膜具有宽禁带,耐高压,耐高温,耐腐蚀,高机械强度等优点,不仅适合应用在高频大功率高温 电子器件的制备,也可以用SiC 代替Si 制备MEMS 器件将具有广泛的应用前景,它可使MEMS 器件 应用于高温高压等恶劣的环境条件下。 一般的SiC 单晶和多晶薄膜材料需要在较高温度下进行制备,不利于MEMS 工艺与CMOS 工艺 兼容,而PECVD(等离子增强化学气相淀积)方法制备SiC 薄膜是在低温下(350℃)制备。因而可以与 POSTCMOS 工艺兼容,这种低温SiC 计具有宽禁带,抗腐蚀,机械性能易于控制等优点,但其结构是无定 型非晶结构, 并含有一定的氢,(a-SiC:H) 其导电性能差(10E7- 10E12Ocm)密度和机械性能也比单晶和 多晶SiC 材料差一些, 。从而使PECVDSiC 膜的应用受到一定限制，