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西安电子科技大学 Physics of
微电子学院 Semiconductor Devices
双极型器件物理(双语)
游海龙
XD Physics of Semiconductor device
第一章：PN结二极管
1－1 平衡PN结定性分析
1－2 平衡PN结定量分析
1－3 理想PN结直流伏安特性
1－4 实际（Si ）PN结直流I-V特性与理想模型的偏离
1－5 PN结交流小信号特性
1－6 PN结瞬态特性
1－7 PN结击穿
1－8 二极管模型和模型参数
微电子学院 理想PN结直流伏安特性的定量分析.2
XD Physics of Semiconductor device
1.3 理想PN结直流伏安特性
1 理想PN结模型
2 PN结直流伏安特性定性分析
3 PN结直流伏安特性定量分析
微电子学院 理想PN结直流伏安特性的定量分析.3
XD Physics of Semiconductor device
一.理想PN结模型
1.理想PN结模型近似条件
1) 耗尽层近似：空间电荷区的边界存在突变，并且耗尽区以外
的半导体区域是电中性的。耗尽层不存在多余的离散离子；
2) 载流子的统计分布采用波尔兹曼分布近似；
3) 小注入假设Low-level injection ：即注入的少数载流子浓度小
于多数载流子浓度，掺杂都离化；
4) 在耗尽层内不存在产生-复合电流，并且在整个耗尽层内，电
子电流和空穴电流恒定：PN 结内的电流处处相等；PN结内
的电子电流与空穴电流分别为连续函数；耗尽区内的电子电
流与空穴电流为恒定值；
微电子学院 理想PN结直流伏安特性的定量分析.4
XD Physics of Semiconductor device
一.理想PN结模型
2. 近似条件(2) （玻尔兹曼分布）的应用：
微电子学院 理想PN结直流伏安特性的定量分析.5
XD Physics of Semiconductor device
二.理想PN结直流伏安特性的定性分析
1. 零偏情况
微电子学院 理想PN结直流伏安特性的定量分析.6
XD Physics of Semiconductor device
二.理想PN结直流伏安特性的定性分析
2. 反偏情况
微电子学院 理想PN结直流伏安特性的定量分析.7
XD Physics of Semiconductor device
二.理想PN结直流伏安特性的定性分析
3. 正偏情况
微电子学院 理想PN结直流伏安特性的定量分析.8
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