4H-SiC MESFET器件工艺.pdfVIP

半导体学报 V01．28 第28卷增刊 Supplement 2007年9月 CHINESEJoURNAL0FSEMICoNDUCToRS Sep．，2007 4H-SiC MESFET器件工艺 陈 刚’ 柏 松 张 涛 汪 浩 李哲洋 蒋幼泉 (南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室，南京210016) 摘要：介绍了制作4H—SiCMESFET器件的关键工艺．通过改进工艺，采用半绝缘衬底的国产SiC三层外延片，制 MESFET． 造出总栅宽为lmm，2GHz连续波下输出功率大于4W，小信号增益大于10dB的SiC 关键词：4H—SiC；金属半导体场效应管；微波；宽禁带半导体 EEACC：2560S；2520M 中图分类号：TN304．2+4文献标识码：A 文章编号：0253—4177(2007)S0．0565．03 1015cm～，n型沟道层厚度为0．4肚m，掺杂浓度为 1 引言 碳化硅(SiC)材料因禁带宽度大、击穿电场高功率器件有～定影响[3]，我们通过实验比较、优化 (达到4×106V／cm以上)、热导率大(4．9W／(cm· 后，采用了较薄的缓冲层． X K))、电子饱和漂移速度高(2107cm／s)、热稳定性 SiC 和化学稳定性好等优点Ⅱ]，成为研制高频大功率、耐 栅宽为lmm，栅长为0．8肚m，栅源间距和栅漏间距 高温、抗辐照半导体微电子器件和电路的理想材料． 分别为0．8和1．6“m． SiC器件是已经商业化应用的第三代半导体器件． 制造SiCMESFET的工艺途径是：台面生成、 虽然国外对于SiC材料、器件、工艺、可靠性等 电子束蒸发Ni、剥离生成源漏欧姆接触区、快速退 进行了广泛深入的研究，现已经进入实用化阶段；但 火、干法刻蚀挖槽、蒸发多层金属形成肖特基接触、 是对于国内，SiC从材料到器件制造技术都还很不 金属化、电镀、反刻、划片、装架[3]．采用Ni作为SiC 成熟，有大量的基础问题需要研究解决．我们采用半 上的欧姆接触金属[4|，在1000℃下通过氮气保护快 绝缘衬底上自主研发生长的SiC三层外延材料(图速退火10min形成良好欧姆接触．挖槽工艺采用 1)，吸取了国内外同行的经验教训，改进了一系列 SiC MESFET器件的工艺技术，成功研制出微波输 光刻机，精度能达到0．5“m．由于金属化可以进一 出功率大于4W，小信号增益大于lOdB的imm多 步减小电阻，采用选择电镀的方法将金层加厚到 指栅SiCMESFET器件，这个结果已经达到实用化 2／．tin甚至更厚，从而减小压焊金丝时接触电阻对微 的功率输出要求． 波功率测试的影响．多指栅SiCMESFET器件的各 源指、漏指的互连通过空气桥来形成．最终的SiC X n+cap：～2．01019cm～，0．20pm MESFET经过钝化处理．划片后，挑出直流性能良 11channel：～2．0×1017cm～。0．40#m SiC