CMOS工艺微控制器瞬时电离辐射效应实验研究.pdfVIP

第44卷第12期 原子能科学技术 V01．44，No．12 2010年12B Atomic Scienceand Dec．2010 Energy Technology CMoS工艺微控制器 瞬时电离辐射效应实验研究 金晓明1，范如玉1’2，陈伟2，王桂珍2，林东生2，杨善潮2，白小燕2 (1．清华大学T程物理系，北京100084·2．西北核技术研究所。陕西西安710024) 摘要：利用CMOS工艺微控制器的实验测试系统，在“强光一号”加速器上进行了瞬时剂量率效应实验。 实验研究采用的7脉冲宽度为20ns，剂量率(以Si原子计)为6．7×106～2．0×108 Gy／s。在不同的剂 量率水平下观察到了扰动和闭锁效应，获得了微控制器的闭锁阈值。分析了扰动时间、系统功耗电流与 剂量率间的关系。瞬时电离辐射在CMOS