基于MEMS工艺的集成红外气体传感器工艺研究.pdfVIP

第４４卷　 第５ 期　　　　　　　　　　　　　　　激光与红外 Ｖｏｌ．４４，Ｎｏ．５ 　２０１４ 年５ 月　　　　　　　　　　　　　　ＬＡＳＥＲ　＆　ＩＮＦＲＡＲＥＤ Ｍａｙ， ２０１４ 　　文章编号：１００１５０７８（２０１４）０５０５３３０６ ·红外材料与器件· 基于 ＭＥＭＳ工艺的集成红外气体传感器工艺研究 朱腾飞，李　辉，李明燃，王　彬，彭中良，赖建军 （华中科技大学光学与电子信息学院武汉光电国家实验室，湖北武汉４３００７４） 摘　要：研究了一种采用ＭＥＭＳ技术实现的含有红外发射源和探测单元的片上集成红外气体 传感器芯片。通过理论分析证明了探测器和红外发射源可以集成在同一衬底上的可行性，采 用正面刻蚀和背面ＩＣＰ深刻蚀硅工艺实现红外发射元和探测单元的悬空热隔离结构，可以使 红外发射源和探测器同时工作在较好的性能状态下。通过对红外气体传感器的红外发射源和 探测单元的测试，表明两种单元均可以正常工作，验证了这种集成工艺的可行性。 关键词：集成器件；红外气体传感器；ＭＥＭＳ；红外发射源；红外探测器 中图分类号：ＴＰ２１２２　　文献标识码：Ａ　　ＤＯＩ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．１００１５０７８．２０１４．０５．０１２ Ｒｅｓｅａｒｃｈｏｎｐｒｏｃｅｓｓｏｆｉｎｔｅｇｒａｔｅｄｉｎｆｒａｒｅｄｇａｓｓｅｎｓｏｒ ｂａｓｅｄｏｎＭＥＭＳｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ＺＨＵＴｅｎｇｆｅｉ，ＬＩＨｕｉ，ＬＩＭｉｎｇｒａｎ，ＷＡＮＧＢｉｎ，ＰＥＮＧＺｈｏｎｇｌｉａｎｇ，ＬＡＩＪｉａｎｊｕｎ （ＷｕｈａｎＮａｔｉｏｎａｌＬａｂｏｒａｔｏｒｙｆｏｒＯｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，ＳｃｈｏｏｌｏｆＯｐｔｉｃａｌａｎｄＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＩｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ， ＨｕａｚｈｏｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＳｃｉｅｎｃｅ＆Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｗｕｈａｎ４３００７４，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：ＡｎｉｎｔｅｇｒａｔｅｄｉｎｆｒａｒｅｄｇａｓｓｅｎｓｏｒｃｈｉｐｉｎｃｌｕｄｉｎｇｉｎｆｒａｒｅｄｅｍｉｔｔｅｒａｎｄｄｅｔｅｃｔｏｒｂａｓｅｄｏｎＭＥＭＳｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙｉｓ ｓｔｕｄｉｅｄＩｔ’ｓｐｒｏｖｅｄｔｏｂｅｆｅａｓｉｂｌｅｔｈａｔｉｔｃａｎｉｎｔｅｇｒａｔｅｉｎｆｒａｒｅｄｅｍｉｔｔｅｒａｎｄｄｅｔｅｃｔｏｒｏｎｔｈｅｓａｍｅｓｕｂｓｔｒａｔｅＩｔｃａｎｅｎ ｓｕｒｅｔｈａｔｉｎｆｒａｒｅｄｅｍｉｔｔｅｒａｎｄｄｅｔｅｃｔｏｒｗｏｒｋｕｎｄｅｒｇｏｏｄｃｏｎｄｉｔｉｏｎｔｈｒｏｕｇｈｓｕｓｐｅｎｄｅｄｍｉｃｒｏｂｒｉｄｇｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅｂｙｕｓｉｎｇ ｐｏｓｉｔｉｖｅｅｔｃｈｉｎｇａｎｄｂａｃｋＩＣＰｄｅｅｐｅｔｃｈｉｎｇＴｈｅｆｅａｓｉｂｉｌｉｔｙｏｆｔｈｉｓｐｒｏｃｅｓｓｉｓｖｅｒｉｆｉｅｄａｆｔｅｒｔｈｅｔｅｓｔｏｆｉｎｆｒａｒｅｄｅｍｉｔｔｅｒ ａｎｄｄｅｔｅｃｔｏｒ Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄｄｅｖｉｃｅｓ；ｉｎｆｒａｒｅｄｇａｓｓｅｎｓｏｒ；ＭＥＭＳ；ｉｎｆｒａｒｅｄｅｍｉｔｔｅｒ； ｉｎｆｒａｒｅｄｄｅｔｅｃｔｏｒ １　引　言 应用实例。但是ＳｅｎｓｅｒＣｈｉｐ 的缺点在于硅薄膜发射 传统的气体传感器存在体积大、耗能大、使用寿 源同时作为探测器使用，为保证硅薄膜的红外探测 命短等不利因素，因此研究小体积、长寿命、低耗能、 性能，发射源只能工作在较低的温度（３２０℃左右）， 易于集成、可