一种基于BCD工艺的高速低功耗电平位移电路.pdfVIP

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2018-04-07 发布于北京
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VoL 第42卷第1期微电子学 42，No．1 2012年2月 Microelectronics F(书．2012 一种基于BCD工艺的高速低功耗电平位移电路庞振洋，王曾，甄少伟，罗萍 (电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，成都610054) 摘要：提出了一种基于0．25“mBCD工艺、适用于高压降压型DC—DC转换器的新型电平位移电路。该电路使用了耐压60 V的低压 CM()S器件(I．VNMOS、INPMOS)，以及耐压5V的三极管器件(BJT)。分析了降压型DC—DC转换器对电乎位移电路的特殊要求；基于对两种常见电平位移电路的分析，提出了一种新型的电平位移电路。电路仿真结果显示，与之前的电路相比，新型电路结构具有响应快速、功耗低、输出电平精确、可靠性高等优点。关键词：BCD工艺；降压型DC—DC转换器；电平位移电路中图分类号：TN43 文献标识码：A A andLowPower on Process HighSpeed LevelShifterBasedBCD PANG Shaowei，LUO Zhenyang，WANGZeng，ZHEN Ping Lab ThinFilmsand (State Electnmic ROl／na) Keyof h魄即删凸砌，Lk／v．ofHec．St／．五删．ofOl／m，oⅫ殍也610054，P Abstract：Anovellevelshiftercircuitfor buckDC-DCconverterwas basedon0．25岫 high presented voltage CMOS thiscircuit，60V BCD(bipolar DMOS)process．In high-voltage V 5V of CM()Sdevices(I。VNMoS。LVPMOS)andtriode(BJT)were low-voltage used．Specialrequirementshigh buckDC-DCconverteronlevelshiftercircuitwerediscussed．andhasedon oftWOconventionallevel voltage analysis shiftercircuits．anovellevelshiftercircuitwas resultsshowedthatthenewcircuithadthe designed．Simulation of leveland advantagesquickresponse，lowpower，accurateoutput highreliabilit