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第39卷第5期 微电子学 V01．39。No．5
2009年10月 Microelectronics Oct．2009
一种基于BCD工艺的高性能振荡器的设计
黄可，冯全源
(西南交通大学微电子研究所，成都610031)
摘 要： 设计了一种基于UMC
0．6／_tmBCD工艺，中心频率为1MHz，占空比为90％的振荡器
电路。该电路作为DC-DC电源芯片的核心模块之一，采用迟滞和恒流源充放电技术，实现了高精
度和高稳定性，具有良好的可移植性。HSPICE仿真结果表明：在2．5-6V的电源电压和一40℃
125℃的温度范围内，其振荡频率和占空比的偏差分别为±7％和3．1％。
关键词： 振荡器；DDDC转换器；BCD工艺
中图分类号：TN752．i 文献标识码：A
Performance
ofa OscillatorBasedOilBCDProcess
DesignHigIl
HUANG
Ke．FENG
Quanyuan
(InstituteMicroelectronics。Southwest 610031，P．R．China)
of JiaotongUniversity，Chengdu
An with1MHzofcentral was on
Abstract：oscillator and90％of basedUMC’s
frequency dutycycledesigned
BCD andconstant
current were tOrealize
O．6弘m process．Hysteresis charging／dischargingtechnologyadopted high
and oneofcoreSUb—blocksin couldbe into
accuracygoodstability．As DC-DCconverter。thecircuit transplanted
other results and from
simulationshowedthat，with2．5Vto6V at
systems．HSPICE supplyvoltage temperature
一40℃to oscillatorhad a variationof
125℃，the a deviationof士7％and 3．1％．
proposed frequency dutycycle
words：
Key Oscillator；DC-DCconverter；BCDprocess
EEAOC：1230B
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