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第30卷第2期 固体电子学研究与进展 V01．30，No．2
2010年6月 RESEARCHPROGRESSOFSSE Jun．，2010
f、、pppp、矿pq，
鸟硅微电子学≮
’h_8妒毋p■^一o。
与工艺、电源电压和温度无关的低功耗振荡环设计’
刘祥昕 李文宏”
(复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室，上海，201203)
20lo—01—26收稿，2010—03—26收改稿
摘要：分析了传统片外时钟和片内时钟各自的特点和应用背景，在CharteredO．35弘mCMOS工艺下实现了一
个低功耗PVT(工艺、电源电压、温度无关)振荡环，对片内时钟的稳定性和功耗进行改进。该振荡环无需精准的电
压源，采用了误差补偿技术，通过偏置电压和延时单元的相互补偿，使得振荡频率对于工艺、温度和电源电压均有
较大的容差能力。并且由于针对延时单元补偿的方式，令周期大小易于调整。蒙特卡罗仿真显示，工艺误差引起的
偏差要比补偿前的偏差减小了60％。流片测试结果表明，在工作温度变化范围o～100。C时，振荡环输出的频率偏差
为士3．22％；在电源电压变化范围为2．8～3．8V时，振荡环输出的频率偏差为土3．36％；在电源电压3．3V的情况
下，整个芯片消耗的电流为950pA。
关键词：误差补偿；振荡环；工艺、电源电压、温度；低功耗；蒙特卡罗
中图分类号：TN76；TN86文献标识码：A 文章编号：1000一3819(2010)02—0269一07
LowPowerOscillatorInsensitiVetoProcess，
Ring
Vol and
tage Temperature
LIU LI
XiangxinWenhong
(State of
K叫Laborntory
thecharacteristicsofanovelexternalclockand clock．
Abstract：This on—chip
paperanalyzes
Thelow and osciUatorisde—
powerPVT(process、supplytemperature
voltage insensitive)ring
Chartered deViation technol—
andfabricatedon CMOS
signed 0．35弘m process．Thecompensation
isusedtoachieve of and toleranceoffre—
ogy highperformancestabnitypowerconsumption．The
tovariationin and is thecom—
temperature improvedby
quency process
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