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微波腔内波混沌散射的初步研究
第 21卷第 3期 强 激 光 与 粒 子 束 Vo1.21,NO.3
2009年 3月 HIGH POW ER LASER AND PARTICLE BEAM S Mar.,2009
文章编号 : 1001—4322(2009)03—0425—04
微波腔 内波混沌散射的初步研究
闫二艳 , 马弘舸 , 孟凡宝
(1.中国工程物理研究院 研究 生部 ,北京 100088;2.中国工程物理研究院 应用 电子学研究所 ,四川 绵 阳 621900)
摘 要: 通过建立的微波腔模拟产生大量腔体散射矩阵和辐射散射矩阵 ,并转化得到归一化散射矩阵和
阻抗矩阵。利用戴桑环系综对归一化散射矩阵的本征值和本征相位进行了统计分析,其本征值的模和本征相
位具有统计独立性,且本征相位近似均一分布,验证了腔体中波混沌散射的存在。对数值模拟和随机矩阵理论
预测得到的归一化阻抗 的统计特性进行 了比较 ,其结果基本一致 ,说 明随机矩阵理论对归一化阻抗具有一定的
预测功能 。
关键词 : 微波腔 ; 波混沌散射 ; 随机耦合模型; 戴桑环系综 ; 电磁兼容 ; 概率密度函数
中图分类号 : 0425.5 文献标志码 : A
随着电子技术的发展,电磁干扰问题也越来越严重。强电磁脉冲能量可通过小孔、缝隙等耦合到复杂腔体
内,使 内部电路功能混乱 ,甚至损坏敏感 电子设备 。电磁场辐射通过后 门耦合进入腔体一直是高功率微波
(HPM)效应和电磁兼容研究人员和工程技术人员感兴趣的。近年来 ,国内不少学者针对计算机机箱或主板开
展了一些电磁辐射和耦合方面的研究u 。但是 ,传统研究方法只是针对固定系统,实验结果不能应用于相似
的结构或给其提供预测 。即使利用高效的电磁场分析计算 ,获得问题的详细特性仍然是一个挑战,主要有两个
原因:一是对于一些研究系统 ,其特征尺寸与波长的比值较大,使用网格划分的计算方法,实施起来非常困难;
二是腔体的内部场结构对于外部输入频率 、腔体形状及内部元件位置的微小改变极其敏感 ,因此需要采用大量
内部场形状的平均 。为 了得到内部场结构有意义的评估 ,在时间和计算上花费巨大 。本文引入随机耦合模型
来统计描述复杂封装系统。
l 随机耦合模型
随机耦合模型l4 (RCM)是一个统计模型,它使用随机平面波假说和随机矩 阵理论 (RMT),用公式表示
具有时间反演不变性系统和不具有时间反演不变性系统的阻抗 、导纳和散射统计模型。这一模型最重要的贡
献是辐射阻抗归一化过程。使用这一模型,仅需要知道系统 的少量参数 ,就可以预测腔体内关键 目标点感应电
流的统计特性或者计算产生效应结果的最佳设备参数 。此模型为HPM效应机理和后门耦合研究提供 了一种
新的方法和思路,并对其实验研究、理论和数值模拟方法进行了补充 ,且对通过后门耦合进入系统产生的感应
电流具有一定的预测能力 ,有望在 HPM 效应机理和电磁兼容 、抗核加 固等方面取得新的突破。
激励孔和波混沌腔体之间的非理想耦合通过 RCM 引入的辐射阻抗归一化来消除,然而,这一理论的有效
性必须建立在微波腔体具有混沌射线动力学基础之上 。本文着重讨论腔体 中存在的波混沌散射,并对 RMT
的预测能力进行初步分析。
2 物理模型的建立
为验证腔体中是否存在波混沌散射,特建立如图1(a)所示的腔体模型,物理尺寸为 380mm×300mm×
100mm,腔体开两个孔,激励孔 1和 目标孔 2。腔体四壁为薄导体板 (厚度不计),而且做工精细光滑,屏蔽良
好 。腔体 内壁上放置一块 80mm×80mm 的铜板 (厚度不计),上面引入了几个小圆柱和长方体 ,孔 1同轴线
内芯伸人腔体离壁 9rnm,孔 2同轴线 内芯伸入腔体离壁 8mm,孔半径 r一5mm。
3 数值计算
3.1 大量散射矩阵的数值计算
为 了应用RCM模 型,必须引入大量内部场形状的平均 。因此 ,首先应该模拟产生 的大量2×2的散射矩阵
* 收稿 日期 :2008—05—12; 修订 日期 :2009—01—19
基金项 目:国家高技术发展计划项 目
作者简介 :闫二艳 (1978一),女 ,博士研究生 ,主要从事高功率微波效应机理研究;yan
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