第4章习题解答(高频).docVIP

第4章习题参考解答 4-1 为什么谐振功率放大器能工作于丙类，而电阻性负载功率放大器不能工作于丙类？ 解：两种放大器最根本的不同点是：低频功率放大器的工作频率低，但相对频带宽度却很宽，因而只能采用无调谐负载，工作状态只能限于甲类、甲乙类至乙类（限于推挽电路），以免信号严重失真；而高频功率放大器的工作频率高，但相对频带宽度窄，因而可以采用选频网络作为负载，可以在丙类工作状态，由选频网络滤波，避免了输出信号的失真。 4-2 一谐振功率放大器，若选择甲、乙、丙三种不同工作状态下的集电极效率分别为：，，。试求： （1） 当输出功率Po=5W时，三种不同工作状态下的集电极耗散功率PC各为多少？ （2） 若保持晶体管的集电极耗散功率PC＝1W时，求三种不同工作状态下的输出功率Po各为多少？ 解：通过本题的演算，能具体了解集电极效率对集电极耗散功率和输出功率的影响。 （1）根据集电极效率ηc的定义 可得 将ηc甲、ηc乙、ηc丙分别代入上式可得 Pc甲＝Po＝5W，Pc乙＝0.33Po＝1.65W，Pc丙＝0.176Po＝0.88W可看出ηc越高，相应的Pc就越小。 （2）从Pc的表达式可以推导出 将ηc甲、ηc乙、ηc丙分别代入上式得 Po甲＝Pc＝1W，Po乙＝3Pc＝3W，Po丙＝5.67Pc＝5.67W可见，在Pc相同时，效率越高，输出功率就越大。 4-4 某一晶体管谐振功率放大器，设已知VCC=24V，IC0＝250mA，Po＝5W，电压利用系数ξ＝1。试求PD、ηc、Rp、Icm1、电流通角θc（用折线法）。 解： 查原书附录4.1，得出此时的θc＝78° 4-5 在题图4-5中： （1）当电源电压为VCC（图中的C点）时，动 态特性曲线为什么不是从υCE＝VCC的C 点画起，而是从Q画起？ （2）当θc为多少时，才从C点画起？ （3）电流脉冲是从B点才开始发生的，在BQ这段区间并没有电流，为何此时有电压降BC存在？物理意义是什么？ 解：（1）由于放大器工作于丙类，θc＜90°，因此从Q点画起。 （2）当θc＝90°时，才从C点画起。 （3）BC这段电压是由谐振回路的滤波作用，所产生的基波电压。因此BC段虽然没有电流，但仍然有电压降。它的物理意义是谐振回路的储能作用。 4-9 高频大功率晶体管3DA4参数为＝100MHz，β＝20，集电极最大允许耗散功率PCM＝20W，饱和临界线跨导gcr＝0.8A／V，用它做成2MHz的谐振功率放大器，选定VCC＝24V，θc＝70°，iCmax＝2.2A，并工作于临界状态。试计算Rp、Po、Pc、ηc与PD。 解： 由，当时，，因此得 Vcm＝VCC－υCE min＝（24－2.75）V＝21.25V Icm1＝iCmaxα1（θc）＝（2.2×0.436）A＝0.96A ［α1（70°）＝0.436］ IC0＝iCmaxα0（θc）＝（2.2×0.253）A＝0.557A ［α1（70°）＝0.253］ PD＝VCCIC0＝（24V）×（0.557A）＝13.36W Pc＝PD－Po＝（13.36－10.2）W＝3.16W＜PCM （安全工作） 4-10 放大器工作于临界状态，根据理想化负载特性曲线，求出当Rp（1）增加一倍，（2）减小一半时，Po如何变化？ 解：（1） 由负载特性可见，当Rp增加一倍时，放大器由临界转入过压状态，Vcm几乎不变，Po约下降一半。 （2）当Rp减小一半时，放大器将由临界转入欠压状态，Icm1几乎不变，Po也将约下降一半。 4-11 题图4-11所示为末级谐振功率放大器原理电路，工作于临界状态。图中C2为耦合电容，输出谐振回路由管子输出电容、L1、L2和C1组成，外接负载天线的等效阻抗近似为电阻。将天线短路，开路（短时间），试分别分析电路工作状态如何变化？晶体管工作是否安全？ 解：天线开路时，回路的品质因数增大，导致Rp急剧增加，结果是Vcm增大使功率管工作于强过压状态。在强过压状态下，Vcm有可能大于VCC，结果使υCEmax＞V（BR）CEO，功率管被击穿。 天线短路时，回路严重失谐（呈感性），且阻抗Zp＜＜Rp，使功率管工作于欠压状态，Pc增大，很可能导致Pc＞PCM，功率管烧坏。 4-12 一谐振功率放大器，设计在临界工作状态，经测试得输出功率Po仅为设计值的 60％，而IC0却略大于设计值。试问该放大器处于何种工作状态？分析产生这种状态的原因。