垂直梯度凝固法（VGF）生长砷化镓单晶的若干问题研讨.pdfVIP

垂直梯度凝固法欠VGF)生长砷化稼 单晶的若干问题研究 谈惠祖 杜立新 赵福川 莫培根 ·中国科学院上海冶金研究所 摘要:垂直梯度凝固法(VGF)生长高质量砷化稼晶体是近几年出现的一种新 方法，与液封直拉法(LEC)和水平布里奇曼法(HB)比较，具有设备造 价低，容易实现程序控制，单晶棒无须滚园，利用率高，生长的单晶具 有较低的位错密度和较高的完整性、均匀性等优点，作为光电材料和 高速IC用的材料，特别受到器件制造商的青睐、本文主要叙述了在国 产三温区中压炉上，运用VGF技犬，生长GaAs单晶，并就生长Q的一 些 问题进行研究探讨. 一、引言 现在作为GaAsIC用的衬底一 般都采用LEC法加退火工艺，考虑到今后IC 技术的发展，LEC法将限制晶体 内在质量进一步的提 高 这是它固有的缺点 造成的.因为LEC法生长GaAs单晶在生长界面的附近，径 向以及纵向都存着 较大的温度梯度 一般在500C一1000C/cm，因此内应力较大，随着尺寸的放大， 晶体的完整性、均匀性将会变得更差.而VCZ法[II由于在热壁的环境下生长 温度梯度较小，晶体完整性较好，但是炉子造价较高，生长工艺还存在一 些待解决的问题.布里奇曼法 (HB)生长的晶体，由于它是舟生长，只能生长 D型片，且生长 与切 割方 向不一致，故均匀性较差，不适合IC应用，而 VB.VGF法12)t31、在生长时，固液界面温度梯度小，晶体完整性好，内应力 小，并且设备造价低，由于柑祸形状决定晶棒尺寸，不需要等径控制装置， 容易实现程序控制， 因而最近几年发展较快，美 国AXT公司已工业化生长 VGFGaAs单晶，并广泛应用于高速器件与光电器件，但VGF法生长晶体也有 其 自身的弱点 无法观察固液界面，因此影响晶体生长 未知因素较多如温 场控制、压力控制、引晶、B203水份的控制、PBN钳祸内壁处理、脱增祸问题 等等.本文主要就VGF生长中一些影响单晶生长问题、如引晶问题，B,O，水 分的控制、PBN柑祸内壁的质量对晶体生长的影响进行研究，从而提高晶体 的成 晶率. 二、实骏与结果 炉子结构 以及炉温分布 在国产的VGF三温区炉上建立合适的温度场，进行VGF法GaAs单晶生 长，原料要用经合成的多晶料，炉内充压3ahn，采用群籽晶槽的PBN增涡， 加B203覆盖，晶体生长方向100，投料650g，实验装置与测的温度场分布见 图1.温控采用欧陆902,813P4控制，控制精度为0.10C;大约经24小时结束长 晶，晶锭长6cm,经KOH腐蚀，测得位错密度3-1O3cm:，照片1VGF法生长的GaAs 单晶与PBN增涡的外形. 协 怕 / 份 1 1 2 们 日 多 厂 a 6 尹 7 ︶ 枕 6 ‘ 留 5 ‘ 礴 3 2