硅太阳电池量子效率模拟分析研究.pdf

基础研究、新材料及新概念太阳电池 ．695． 硅太阳电池量子效率模拟分析 薛永胜 陈鸣波李红波王亮兴， 上海空间电源研究所上海 200233 【摘要】 本文根据量子效率与电池参数关系，对常规硅太阳电池量子效率进行了计算机 模拟和分析，开发了量子效率模拟软件，通过输入硅太阳电池特性参数(如结 深、耗尽区宽度，基区宽度、电子扩散长度、。空穴扩散长度、前表面复合速率， 背表面复合速率等)模拟出量子效率理论值；另一方面，通过输入量子效率实 际测量值，拟合模拟曲线，汲取出电池的特性参数。利用此仿真程序模拟的少 子扩散长度与实际测量值的误差在3．6％之内；探讨了各特性参数(结深、表面 复合速率、少子扩散长度等)对量子效率的影响程度。 【关键词】 量子效率太阳电池模拟分析硅 ‘Simulationof ofSiliconSolarCells QuantumEfficiency XUE CHEN WANG Yongsheng Mingbo’LIHongbo LiangXing Instituteof Power 200233 Shanghai Space Shanghai 0引言 量子效率比I．V特性更容易分析电池的结构和参数。然而，量子效率只能在完成电池的 制造之后才能够进行测量；由于太阳电池制作流程复杂、结构参数众多，这就增加了量子效 率指导电池制作的难度。基于这个原因，我们利用计算机软件建立量子效率模型，对太阳电 池的量子效率进行模拟分析，然后，用已知电池的量子效率测量值拟合出结构参数，从而为 分析电池优劣的深层原因提供依据，使得太阳电池工艺改进变得更加方便。之前有类似研究 表明通过数学拟合可以得出电子扩散长度，但误差较大约为30％fl】。以下将首先建立量子效 率模型，然后再对量子效率进行模拟分析。主要针对的电池类型是常规(TDJ)硅太阳电池。 在一维、小注入近似、耗尽区近似和短路稳态条件下，并忽略漂移场的作用，通过求解各 区光生少子运动的连续性方程，可解得各区光生电流密度表达式，再根据量子效率的定义【l】， 可以推导出QE的表达式睇J。 1试验与结果 采用空间常规硅太阳电池制备方法，在晶向为<100>的P型衬底上用液态源扩散n层， ·696·中国太阳能光伏进展 无背场。前表面蒸镀减反射膜。编号为TDJ_08。 在25。c下，用等光强量子效率测试仪，测量电池的外量子效率及反射光谱。量子效率 测试仪器测量精度<±1％。用微波光电导衰减法测量少子寿命。． 程序编辑过程：编辑各子函数一创建图形界面一建立控键与函数关联_建立子函数调用 关系。 模拟以编号为TDJ_08的电池为例。根据工艺条件，推算各参数范围值；读入QE测量 值，用拟合工具箱拟合出QE曲线(如图1)。 图1中，反射R采用实际测量反射谱，扩散系数根据杂质浓度，查表得迁移率，再由爱 因斯坦关系[2】求得，D。=12．5cm2／$、D，=25cm2／s。根据电池制造工艺条件，得出电池结深 自文献【5】。参数估算值与拟合值见表1。 表1 拟合参数对比表 s 洫 列 k Lb e & (106cm／s)(103cm／s)(ttm) (肛m) (Ilm) (“m) 估算值 50 10。 O．2 O．31 14 139 模拟值 5 ，l