硅纳米线热导率的MD研讨.pdfVIP

中国．t稃热物理学会 传热传质学 第十三屑学术会议 编号：073370 硅纳米线热导率的MD研究 王帅创梁新刚 北京清华人学航天航空学院传热0能源利用北京市重点实验室 北京 100084 联系电话：010 Email：1iangxg@tsin曲ua．edu．cn 摘要：采用非jr衡分了动力学方法模拟J，半导体硅纳米线的热导牢。考虑了纳米线的长度、截面积 和平均温度等因素对其热导牢的影响。结果表l刿，由于边界效应的影响，硅纳米线的热导率值比硅体 材料热导率低l~2数量级。纳米线截面积的增火会增大j￡热导牢值。本文结果和前人的研究结果符合 的较好。 关键词：热导率纳米线分予动力学 1．引言 随着jf，-导体制造技术的发展，纳米线被广泛应用丁电子、光电转换和能量转换等装 置中。对纳米线导热特性的掌握和预测对丁^合理设计这些装置十分关键[1]，冈此，研 究纳米线热特性成为现阶段研究的一个热点[2—7]。 与纳米薄膜、超品格相比，纳米线的面体比更大，尺度效应也会更明显。和体材料 热导率相比，纳米线的热导率会小很多。砖纳米线的实验研究[2]表明，纳米线的热导 的纳米线而言，其热导率随着直径的减小而减小。但是，由丁．实验条件和技术的限制， 截面直径为几个或十儿个纳米的纳米线的实验研究并米见相关报道。基丁．声子 应、缩减的声予群速度、以及较低的Debye温度均是导致纳米线的热导率值偏低的原因， 但是此理论预测的结果和实验结果仅仅数量级相同，两者符合的并不好。 Monte 效应开始变得显著起来[4]；在室漏下的纳米线的热导率似乎和截面赢径的l／2次方呈 机性能的不断提高，使得分子动力学(m01ecular 出其巨人的优越性。MD方法基丁．从实验得出的势函数，求解系统内各个原子的运动方程， 得到每个原子的运动速度和运动轨迹随时间的演化，进而心统计的方法计算出想要得到 的物理量。用MD方法米计算纳米线的热导率，目前的研究还很少[6，7]。 论了截面积、长度以及系统温度对热导率的影响。 76 2．计算模型 本文选用具有金刚石结构的半导体材料硅作为研究材料，用NEMD方法来计算纳米 线的热导率。NEMD方法要求纳米线沿长度方向有个温度梯度，这里采用使纳米线一端固 定在高温、另一端则同定在低温的方法米实现，如图1所示。控制纳米线两端温度采用 的是速度标定法，具体细：1了参见文献[8]。两端的温度控制区的厚度均设定为2个晶胞 (UC)厚度，纳米线中间部分则为热传导区，下文中纳米线的长度均是指热传导区长度。 图l硅纳米线示意图 硅是半导体材料，所以电子对热传导的贡献较小而可以忽略掉，因此可以只考虑声 子对热导率的贡献。对于描述硅的许多势能函数来说，Sw势函数【9】由于能很好描述弹 性模量、声子色散关系、热扩展系数等特性而得到广泛应用，所以这里采用sw势函数。 为了使计算尽可能准确，在纳米线的两端采用自由边界条件，而在截面方向则采用势能 边界条件[10】。势能边界条件和自由边界条件一样，材料表面也会发生原子重构，但相 比自由边界条件，势能边界条件能容易馒系统达到稳态。 定律得出，即热流密度9与温度梯度的比值。热流密度g通过每个时间步向高温区加入 的能量和向冷却区减去的能量的平均值除以纳米管的截面积来获得。温度梯度则是纳米 管热传导区的温度分布的中间部分线性拟合直线的斜率。运行时间步长设为O．5fS，运动 方程积分采用速度积分方法。为了得到高准确的结果，本文中的绝大部分计算的时间为 1000万时间步，也就是5ns，最后的900万时间步用来统计结果。 3．结果和讨论、 ft谱：(nm) 幽2砖纳米线温度分布图 设定系统的截面面积为4×4UC，纳米线两端温度分别为420K平if 最左边的两个数值点处_丁．冷却|又：，最右边两个点