南航考研模拟电子线路(模电)第一章03.pptVIP

l.5.1 结型场效应管 1. N沟道结型场效应管 (1) 结构 在一块N型半导体材料两边扩散高浓度的P型区(用P+表示)： 栅极G：两边P+型区引出的两个欧姆电极并连在一起； 源极S、漏极D：在N型半导体材料两端各引出的一个欧姆电极； 导电沟道：两个PN结阻挡层之间的N型区域。 小 结 iD受控于uGS：|uGS|↑则iD↓直至iD=0 iD受uDS影响：uDS↑则iD先上升，随后保持不变 以预夹断为分界线： 预夹断前： uDS↑则iD ↑ 预夹断后： uDS↑则iD 保持不变 (3) 特性曲线与特征方程 1)输出特性曲线： 输出特性曲线可分为可变电阻区 I、饱和区Ⅱ和击穿区Ⅲ。 I区为可变电阻区（非饱和区）。对应沟道未预夹断部分，当 一定时，随 增加， 线性增加。当 一定时， 越大， 就越小。 Ⅱ区为饱和区（恒流区）。沟道预夹断后， 增加， 几乎不变，呈饱和状态， 主要由 控制。 沟道长度调制效应：当沟道预夹断后，随 增加，　略有增加，因而曲线 随 增加而略有上翘。 Ⅲ区为击穿区， 超过一定数值时，栅漏间PN结发生雪崩击穿， 迅速增大。 在模拟电路中，场效应管通常工作在饱和区。 2) 特征方程 转移特性： 转移特性描述了 为常数时 对 的控制作用，可通过漏极特性求得。 在 范围内， 与 之间呈平方律关系: 2. P沟道结型场效应管 P沟道结型场效应管与N沟道结型场效应管对应，所有外加电压极性、电流方向与N沟道结型场效应管相反。 1.5.2 绝缘栅场效应管 绝缘栅型场效应管: 利用半导体表面的电场效应，由感应电荷的多少改变导电沟道的宽窄来控制电流的大小。 MOS管: 绝缘栅场效应管中，常用二氧化硅(SiO2)作为金属(铝)栅极和半导体之间的绝缘层，又称为金属—氧化物—半导体场效应管。 MOS管有N沟道和P沟道两类，而每一类又分增强型和耗尽型两种。 1．N沟道增强型MOS场效应管 源极(S)、漏极(D): 用P型硅片作为衬底，其中扩散两个N+区，并的引出电极； 栅极(G)：半导体表面覆盖SiO2绝缘层，绝缘层上再在源区和漏区之间制造的一层金属铝。 2．工作原理 1） 。 反型层：绝缘层下面D、S之间形成的N型导电沟道。 开启电压：开始形成反型层时的电压。 2） 增大。 在 作用下，形成漏极电流 。 导电沟道为梯形; 3） 继续增大。 当 ，沟道被预夹断。 沟道预夹断时，管子进入饱和区； 4) 再继续增大。沟道预夹断后， 继续增大，夹断点A向源极方向移动， 略有增大； 5)当 时开始形成导电沟道。 当 时，随 增大，导电沟道变厚，沟道电阻变小。 小结 iD受控于uGS：uGS ↓则iD↓直至iD=0 iD受uDS影响：uDS↑则iD先上升，随后保持不变 以预夹断为分界线： 预夹断前： uDS↑则iD ↑ 预夹断后： uDS↑则iD 保持不变 3.特性曲线 饱和区工作时的转移特性曲线可用以下公式表示： 2. P沟道增强型MOS管 P沟道增强型场效应管与N沟道增强型场效应管对应，所有外加电压极性、电流方向与N沟道增强型场效应管相反。 3. N沟道和P沟道耗尽型场效应管 夹断电压（ ）：在N沟道耗尽型场效应管中，当 减小为一定负值时，导电沟道消失，此时的电压。 将开启电压换成夹断电压： 　　　　　　　　 式中：　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 1.5.3 场效应管的小信号模型 端口特性由下列函数表示 得： ：跨导，体现栅源电压对漏极电流的控制能力 ：场效应管d-s间的微变等效电阻。 1.5.4 场效应管的主要参数 1. 直流参数 漏极饱和电流 ：结型和耗尽型