15 正弦波振荡器3.6-10.pptVIP

高频电子线路 第三章 正弦波振荡器 （四）集成电路振荡器、压 控 振 荡 器、负阻振荡器、振荡器中的几种现象 学习要求: 了解差分对管震荡电路的组成及工作原理及单片集成震荡电路的使用 掌握压控振荡器的工作原理及相关计算 了解负阻振荡器的工作原理 了解振荡器中的间歇振荡、频率拖拽等现象 3.6 集成电路振荡器 3.6.1 差分对管振荡电路 3.6.2 单片集成振荡电路 3.6.3 运放振荡器 一、差分对电路 基本的差分对电路 两个晶体管和两个电阻精密配对（这在集成电路上很容易实现）。 传输 特性 二、用差分对管代替单管 差分对管 当输入信号增大时，一管趋于截止，一管趋于恒流I0 进入限幅特性的差分放大器，不是依靠饱和（单管情况），而是依靠一管截止一个恒流实现的限幅功能 工作原理: 第一级放大电路由V5和V4管组成共射—共基级联放大器, 第二级由V3和V2管组成单端输入、单端输出的差分放大器, V1管作射随器。 偏置电路由V10～Ｖ14管组成, 其中: Ｖ11与Ｖ10管分别为两级放大电路提供偏置电压, V12～Ｖ14管为差分对管振荡电路提供偏置电压。 V12与Ｖ13管组成互补稳定电路, 稳定Ｖ8基极电位。若Ｖ8基极电位受到干扰而升高, 则有ub8(ub13)↑→uc13(ub12)↓→ue12(ub8)↓, 这一负反馈作用使Ｖ8基极电位保持恒定 二、利用E1648组成的正弦波振荡器 振荡频率fo= Ci≈6 pF是10、12脚之间的输入电容。 E1648的最高振荡频率可达225MHz。 有①脚与③脚两个输出端。 由于①脚和③脚分别是片内V1管的集电极和发射极, 所以①脚输出电压的幅度可大于③脚的输出。 L2C2回路应调谐在振荡频率fg上。 如果10脚与12脚外接包括变容二极管在内的LC元件, 可以构成压控振荡器。 利用E1648也可以构成晶体振荡器。 3.7 压 控 振 荡 器 例 3.6 画出图例3.42(a)所示中心频率为360MHz的变容二极管压控振荡器中晶体管的直流通路和高频振荡回路, 变容二极管的直流偏置电路和低频控制回路。 解: 画晶体管直流通路：将所有电容开路、 电感短路, 变容二极管也应开路, 因为它工作在反偏状态, 如图(b)所示 判断依据： 工作电容与工作电感是按照振荡器组成法则设置的 耦合电容起隔直流和交流耦合作用 旁路电容对电阻起旁路作用 高扼圈对直流和低频信号提供通路, 对高频信号起阻挡作用 1、晶体压控振荡器晶振的作用： 等效为一个短路元件, 起选频作用 等效为一个高Ｑ值的电感元件, 作为振荡回路元件之一 通常仍采用变容二极管作压控元件 晶体压控振荡器的缺点是频率控制范围很窄；图3.44所示电路的频率控制范围仅在晶振的串联谐振频率ｆs与并联谐振频率ｆp之间 3.9 负阻(Negative-Resistance)正弦波振荡器 负阻振荡器是采用负阻器件与LC谐振回路共同构成的一种正弦波振荡器，分为：崩越器件(IMPATT)振荡器，和体效应器件(Gunn)振荡器。 在毫米波高频端应用较为广泛。 IMPATT 器件最高工作频率已进入亚毫米波段，输出功率大，但器件雪崩倍增过程产生的噪声较大； Gunn器件振荡器噪声低，适用与对噪声要求较高的系统，但工作频率较低，功率小。其中，砷化镓（GaAs Gunn）器件性能优良，工作频率通常在70GHz左右。 主要内容： 负阻器件 负阻振荡器原理及其电路 3.9.1 负阻器件 1.两种负阻器件的伏安特性 图a，为N型负阻器件（电压控制器件），电流为电压的单值函数，此种器件有隧道二极管、共发射极组态的某种点接触三极管和真空四极管等 图b，为S型负阻器件（电流控制器件），电压为电流的单值函数，此种器件有单结晶体管、硅可控整流器和弧光放电管等 N型负阻器件(以隧道二极管为例） 3.6.2 负阻振荡原理及其电路 1.隧道二极管负阻振荡器 负阻向外提供交流功率，是以消耗直流功率为代价的；负阻仅仅是从直流电源中获取能量并将其中部分转换为交变能量 3.7 振荡器中的几种现象 2 当起振后 二、频率拖曳现象 3.7 振荡器中的几种现象 3.7 振荡器中的几种现象 四、寄生振荡 在高频放大器或振荡器中,由于某种原因,会产生不需要的振荡信号,这种振荡称为寄生振荡。如介绍小信号放大器稳定性时所说的自激,即属于寄生振荡。 产生寄生振荡的形式和原因是各种各样的,有单级和多级振荡,有工作频率附近的振荡或者是远离工作频率的低频或超高频振荡。 负阻器件是指增量电阻为负值的器件。 N型（压控型）负阻器件起振条件：rdRL 随着振幅的增加，工作状态的变化 使得rd=RL，进入等幅振荡的平衡状态 Rb1 Rb2 Rc