空气中热氧化电沉积Zn纳米晶制备一维ZnO纳米针及其生长机制与场发射效应的研讨.pdfVIP

2∞‘第五属中胃(曩幕)蚺米科技西安研讨套论文橐 阳蹦蛐单口f妒N．蝴慷哪橱删加曲N删嘻d|嘛詹孤山枷p麟Ⅺ’n枷6 空气中热氧化电沉积Z珏纳米晶制备一维ZnO纳米针及其生长 机制与场发射效应的研究 支1日利1÷，陈文2，徐庆2潘春旭“‘ 11．武汉大学物理科学与技术学院，武汉4300725 2．武汉理工大学材料科学与工程学院．武汉430070) 摘要t本文介绍了一种新颖、简易的制备一维ZnO纳米针的方法，即在金属基扳表面电沉积一层金属zn钠米晶， 将该纳米晶置于高温炉中，遥过热氧化法可成功的制备一维ZnO纳米针。同时，研究了不同的热氧化温度因素对一 维ZnO纳米针的制各及其形貌的影响。在本方法中，一维ZnO纳米针材料对应于初始电沉积层的zn纳米晶颗粒， 这与其他方法中ZnO的生长机制不同，商以认为本方法的ZaO的生长遵从自催化扩散机制。同时，研究了一维ZnO 纳米针薄膜的场发射效应，开启电压为0．5 macro-2，并具有良好的线性F-N特性。 Vlam-I，最大电流密度可达1．1 关键词tZnO纳米针；脉冲电沉积；纳米晶：燕氧化法；生长机制；场发射效应 0引言 ZnO，一种重要的宽禁带半导体功能材料，室温下能带带隙为3．37eV，在电子学、光电子学、传感器等领域有 性能，引起了广大科学工作者的研究和关注。 法[io-“】等。近年来，热氧化法广泛用于台成一维ZnO纳米材料，采用该方法在氧化环境下热氧化纯锌颗粒或锌箔 制备一维ZoO纳米材料[12．15]。 与生长材科的组元熔融形成共晶的液滴状固融体，当达到饱和后，组元从该液滴表顽析出并沿固液面扩散形成纳米线。 一般而言，在纳米线的顶端存在催化剂液滴的痕迹。而在VS机制中，材料的结构缺陷在成棱和生长阶段起重要作用。 在生长过程中，沿着液一周面上的微观结构作为形核中心和生长几点，并不存在催化剂和生长材料的共晶液滴这一中 间过程。 尖端尺寸，相对于ZnO纳米颗粒、纳米薄膜等材料，它具有更好的的场致发射材料[20-231。 料都有很大的提高，因此，它更有利于合成相应的钠米材料。在本文中，采用脉冲电沉积技术在金属基板表面电沉积 一层金属纳米晶孙，在空气中热氧化该纳米晶zn薄膜可以成功的氧化制备一维ZnO纳米针材料。 l实验方法 脉冲电源为数控双脉冲电沉积电源(GKDM 30--15，新都同力电源设备厂，成都)。电源的输出电流波形采用矩 ·432· 矽匏蠢!!垫 2006第五届中胃(曩际)螭米科技西安研讨会论文集 基板表面进行机械研磨、抛光和酸洗等预处理。 2．0。电沉积过程在室温下进行，电沉积的时间为5分钟。 将电沉积后的zn纳米晶层的铜合金基板故八普通箱式电炉或具有气体保护功能的管式电炉中加热中，分别在大 气和Ar气氛中加热．加热温度分别为300C、400℃、500C和600℃，保温1小时，炉冷至室温。 电沉积纳米晶层和氧化物纳米针的形貌特征利用场发射腔扫描电镜(FEG．SEM)fSirion 其晶体结构利用X射线衍射仪()皿D)(1)8Advance．：lXRD，BmkerAXS，Germany)进行涮量。 阳极，采用银胶将样品固定在样品台上作为场发射的阴极，保证样品台与阳极平行。同时，保持阴极和用极的距离为 ， 100nm，将其置于超高真空系统中，在室温下进行测量。 2实验结果和讨论 图l是采用脉冲电沉积技术在金属锌基板上电沉积Zn后的生成的纳米晶形貌，从图中可以看到：通过脉冲电 沉积，可在基板表面电沉积生成一层颗粒均匀一致的锌纳米晶颗粒．其大小一般为在20-40之间。图2是该纳米晶 该纳米晶的平均晶粒度为35ran。 m…：