立方相A1xGa1xNGaAs100的MOCVD外延生长研究.pdfVIP

2000年10月 ·广西。北海 第七届全国固体薄腆学术会议 立方相A1RGa1_,N/GaAs(100)的MIO:VD 外延生长 冯志宏杨辉段俐宏 赵德刚张书明 (中国科学院半导体研究所光电子工艺中心 100083) 摘要 我们利用MOCVD生长技术在GaAs(100)衬底上生长了高质量的立方相AlGaN薄膜。通 过光致发光 ((PL)、扫描电镜(SEM)分析了不同NH，流量、不同生长温度对AlGaN外延层的 结晶质tI和表面形貌的影响。我们发现相对高的NH3流量和相对高的生长温度可以提高 AlGaN外延层的结晶质量。 1.引， 以GaN为代表的第三代半导体III一族氮化物是最重要的宽禁带半导体材料体系之一。 它们特有的带系范围、优良的光电特性和材料的机械性质使其在光学器件、电子器件等领 域有着广泛的应用前景111 目前.大多数蓝、绿发光二极管和激光器都是以蓝宝石为衬底的六方结构，并且实现 了商品化131。而以GaA。为衬底生长的立方相GaN具有价格便宜、易于解理、可以制作电极， 而且立方相生长浪度低，有利于Iii的掺人。使以GaAs为衬底生长立方基GaN蓝、绿发光 二极管和激光器具有巨大的潜力。我组3【1在国际上首次实现立方GaNp-n结蓝光发光二极 管，又实现了GaN/InGaN:Zn/GaN双异质结蓝、绿光发光二极管。但目前的亮度还远达不到 以蓝宝石为衬底的六方LED。为了实现高亮度的发光二极管特别是激光器，必须采取异质 结结构，AWa1..N1/GaN异质结是必不可少的。可是，立方AlGda〕的生长十分困难，晶体 质kl相对较差，大大影响了器件的质量。迄今为止，有关立方AlGaN的报道特别少[e.5。本 文主栗研究了不同叭流童、不同生长温度对AlGaN外延层的结晶质量和表面形貌的影响， 摸索出了生长高质量AlGaN薄膜的合适生长条件。 2.实脸 我们用传统水平式MOCVD进行样品生长。用TEGa,TMAl和NH3分别作为稼源、铝源和 氮源，Hz作为载气。以Si掺杂的GaAS(100)作为衬底。在生长过程中反应室的压力始终保 持在76Tarr。首先在550℃生长厚约20-30二的GaN缓冲层，接着在820℃生长厚约60。二 的GaN层。然后，在GaN层上面生长厚约20。二的AlGaN外延层。生长AlGaN外延层时，NH3 流量分别为 50m1/min,100m1/min,200m1/min,500m1/min，其中生长温度为820C。NII 流量500m1/min，生长温度为860C，其它条件相同。 光致发光((PL)侧试在室温下进行。橄发光源是波长为325二 的He-Cd激光器。扫描电 镜照片是在型号为ism、加速电压15KV的扫描电镜上进行的。 3.结呆及讨论 图1是三个不同NH3流量、不同生长温度AlGaN外延层光荧光谱。从图中可以看出光 荧光谱存在三个峰。其中峰位在325二 的峰是He-Cd激光峰。峰位在365二 的发光峰是立 方AlGaN的带边发射峰，而535二 的发光锋是与杂质、缺陷有关的深能级宽化的发射峰。 在光荧光谱中没有观察到六方相AlGaN的峰。AtsushiNakadair。和HidenaoTanaka〕确 定了立方相AlGaN的PL峰位和A1组分x的关系:E=3.20+1.85x。可以得到A1组分x约 2优旧年01月 ·广西 ·北海 第七届全国固休箱膜学术会议 为。.11。从图(a)和图(b}明显看出，随着毗流t的增加.立方AIG幽的带边发射峰的强 度相对增加、带边发射峰的半宽减小，同时深能级发射蜂的峰强相对减弱。这表明随着叭 流量的增加，AIG胡外延层的晶体质量和光学性质提高。从图扣)可以看出，在相对育的NH: 流量下继续增加生长温度，入1仪创的带边发射峰的半宽继续缺小.同时深能级发射峰的峰 强相对带边发射峰的峰强继续减弱。这表明相对高的生长眼度能提高赶G司J外延层韵晶体 八少八火 ﹃ ﹄ 食 ) 书 。 ︸ ，