立方相GaN基LED的电化学CV测量研究.pdfVIP

2000年10月 ·广西 ·北海 第七届全国固体薄膜学术会议 立方相GaN基LED的电化学C-V测量 李顺峰，杨辉，徐大鹏，张书明，赵德刚 (中科院半导体研究所国家光电子工艺中心，100083) 摘要 我们用电化学C-V的方法测量了MOCVD生长的双异质结结构绿光LED。采用稀 盐酸腐蚀液，加正向偏压，边腐蚀边铡量。实验完毕，用SEM观察表面和截面情况，发现 被腐蚀区域的P-GaNIInGaNIN-GaN层已经与GaAs衬底脱离，并在GaAs衬底上腐蚀出坑。 从GaN的结构特性分析，我们认为，GaN中的层错堆积形成晶界作为导电通道。加快了晶 界附近的GaN腐蚀速度率电化学C一的结果中，得到P型载流子浓度大约在Ix10, 同时图中明显也可以看到PN结的存今 前言 近几年来，GaN基的半导体器件得到了很大的进展a[t。尤其是半导体光电子器件，如 发光二极管to 激光器131等，都取得了令人肠目的成果。目前，蓝绿光LED已经实现了商品 化，日本Nichia公司的蓝紫光激光器已基本实现商品化，开始小批量投放市场。 我们采用GaAs衬底生长立方相GaN-LED，在技术上具有很大优势。GaAs上生长GaN 可以解理，与GaAs工艺兼容，可以大大降低成本，并且在制作激光器上有很大的优势。 前一阶段我们的立方相GaN-PN结LED已实现电注人发光a[[t。近期，我们的双异质结绿光 LED也实现电注人发光。由于立方相生长温度低，在生长和器件制作方面也存在一些困难。 目前。我们的LED发光亮度还不够强。因此研究器件的电学特性，结合其他性质找到影响 电注人发光强度的原因就显得尤为重要。 电化学CV作为一种常规的电学测量方法，在测量器件的载流子浓度、界面态性质、PN 结特性、异质结特性方面都有很多的应用151。我们也采取电化学CV的方法测量我们的双 异质结结构LED. 生长与实脸 我们采用ASM公司生产的低压MOCVD设备生长双异质结绿光LED。用TEGa作为 Ga源，TMin作为in源。高纯氨气为N像，高纯氢气做载气，CP2Mg用作P型掺杂源，SiH4 作为N型掺杂源。 实验中在N--GaAs衬底上生长550`C11.5分钟的缓冲层，然后升温至820℃生长约0.7 um的N型GaN，依次生长SOnm接zn的InGaN有MiK,0.4vm厚掺mg的P型GaN. 形成双异质结结构的LED。用电化学C-V方法还测!了一个在NGaAs衬底上生长N型Gar 的GaAs/GaN异质结的样品。 C-V系统采用BIG-RAD公司的PN430OPC型测试系统。用稀盐酸作为腐蚀液，实验 中保持正向偏压和腐蚀电流不变，测试频率为3KHze 实验结束后用扫描电子显微镜观察表面和截面。 电化学C-V是侧试半导体电学性能的常用方法。以腐蚀液做为一极，腐蚀掖与样品表 面形成肖特基结。加正向偏压，在样品表面形成耗尽区。同时在偏压上叠加交变电压，测 20〕〕年01月 ·广西 ·北海 第七届全国固体薄膜学术会议 量肖特基结的电容。腐蚀的深度与腐蚀电流对时间积分相关。系统将电容换算成载流子浓 度。 州 卿 川 之 嗜 川 王 即 川 比 DePth(。m) 图 一 电化学Cv曲线 麒平结拯光环p.誉曼的 图一是双异质结结构绿光L￡D的电化学Cv脚体罕 1义101，， 沈v.砂称绪果公图中帅拿六稗赎约为 这与我们其他电学测量的结果符合的较好。载流子浓度滋探度的增加而缓馒增加。送时的 载流子浓度比实际浓度偏大，原因下面将要讨论到。