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轻质Si．Al合金新型电子封装材料研究进展 林锋1冯曦2任先京1李世晨2蔡阳2 (1．北京矿冶研究总院金属材料研究所北京100044) (2．中南大学材料科学与工程学院湖南长沙410083) 摘要：微电予集成技术的快速发展对封装材料提出了更高的要求。在传统的封装材料已不能满足现 代技术发展需要的情况下，新型Si．Al复合材料脱颖而出，以其优异的综合性能成为倍受关注的焦点。其 高体积分数Si带来的低热膨胀系数能很好地与芯片相匹配，连通分布的Al相保障了高的导热散热性，两 者的低密度又保证了复合材料的轻质，尤其适用于航空航天领域。本文重点探讨了Si．A1复合材料的主要 制备技术及其组织性能并对其未来发展做出展望。 关键词：电子封装；硅铝；复合材料 1、 引言 在迅速发展的微电子集成电路以及大功率整流器件中，日益密集的无数微小尺寸的元件产生大量热 量，若芯片与封装材料之间热膨胀系数的不匹配，电子器件工作时的快速热循环易引入热应力疲劳而导致失 效；而封装材料散热性能不佳将导致的芯片过热从而影响电子设备的寿命和运行状况。事实上，封装材料 的性能引发的失效已成为了制约微子电路和器件系统性能的瓶颈问题。据估计，30％的芯片计算能力受到 封装材料的限制，封装材料性能的影响已变得和芯片同等重要。另外，针对航空航天领域的军工要求及其 他民用的便携式要求，电子器件中的电子封装材料的密度应当尽可能的小。因此，传统的电子封装材料已 经难以适应目前高速发展对封装材料的要求，而新型的轻质si．A1复合材料成为一种潜在的有广阔前景的 电子封装材料，特别是在航空航天和空间技术领域。它有望成为射频、微波或其他高频电子器件中不可缺 少的封装材料，同时也将成为民用IC业的重要基础材料，对国民经济和国防建设的发展将发挥重要作用。 芯片的电子封装实物如图1所示。 图1芯片电子封装实物图 材料热导率差、密度高、刚度低。钼、钨以及随之发展的钨铜、钼铜合金在热传导性方面优于可伐合金， 但是重量却比可瓦还要大，不适合航空航天。近年来报道的70％SIC—Al的复合材料，热膨胀系数是 十分相近，且氮化铝的刚度和密度较低，使其非常适合用于电子封装，然而它也存在不能电镀的问题且价 格昂贵。BeO的热膨胀系数与GaAs相近，也具有良好的热传导性等其他优良性能，可是，这种材料由于 剧毒，不符合现代材料研究中对环境友好性的要求。 5l 调控。同时，这种材料对环境没有影响，对人体无害；原料硅在地球上含量相当丰富，制备工艺成熟，成 本低廉。 2、Si-Al电子封装材料的国内外研究进展 现商品化，但其综合性能指标仍不十分理想(CTE：15．4×10‘9K，TC：138w，m·K，密度：2．53 g／cm3)。 达2．59／cmj左右，并且具有良好的使用性能和加工成型性能。此外，德国和俄罗斯也有类似报道。目前， 天微波电路。国内相关方面研究尚属罕见，目前主要是中南大学材料科学与工程学院、有色金属研究院、 北京矿冶研究总院进行了相关的研究。 3、Si-Al材料的主要制备方法 迄今，Si．Al材料的制造方法归纳起来主要有以下几种：(1)喷射沉积法；(2)压力熔渗法；(3)粉末 冶金法。综合国内外的研究结果表明，Si．Al材料的封装性能主要取决于其组织结构的致密性和均匀性， 因此选择合适的制备工艺成为问题的关键。 3．1喷射沉积法 喷射沉积法是在70年代后期至80年代间由英国Osprey公司开始在工业上实际应用的。其原理是： 首先将硅铝合金坯料感应加热至熔化，之后熔体通过导流管流出，利用高压惰性氮气气流将液态金属雾化， 形成直径约40微米的粒滴的喷射流，这些粒滴冷凝到旋转的接收基板上，在快速冷却的条件下，粒滴迅 速凝固，形成细小的各向同性的微观结构。这种方法将制粉和复合过程一次完成，缩短了工艺流程，节约 性气体的保护，减轻了铝粉氧化膜对复合材料性能的影响。 存在的主要缺点有：成本较高，沉积速度较慢：很多关键工艺参数如气流速度、液流直径、熔体温度 等难以控制，一般只能凭经验把握；由于粉体喷射中的流体动力学不稳定性及飞行方式造成陶瓷颗粒分布 不