-1.1半导体二极管.pptVIP

;1.1.1　什么是半导体;　　3．N 型半导体：主要靠电子导电的半导体。;　　（1）正向导通：电源正极接 P 型半导体，负极接 N 型半导体，电流大。;　　如果反向电流未超过允许值，反向电压撤除后，PN 结仍能恢复单向导电性。 ;1.1.3　半导体二极管;　　由于管芯结构不同，二极管又分为点接触型（如图 a）、面接触型（如图 b）和平面型（如图 c）。 ;　　2．二极管的特性;　　 ② 正向导通：当外加电压大于死区电压后，电流随电压增大而急剧增大，二极管导通。;　　② 反向击穿：若反向电压不断增大到一定数值时，反向电流就会突然增大，这种现象称为反向击穿。;　　3．半导体二极管的主要参数;1.2.1　半导体三极管的基本结构与分类 ;　　（1）按半导体基片材料不同：NPN 型和 PNP 型。;　　三极管常采用金属、玻璃或塑料封装。常用的外形及封装形式如图所示。 ;　　1．三极管各电极上的电流分配;　　实验数据 ;　　2．三极管的电流放大作用;　　（1）三极管的电流放大作用，实质上是用较小的基极电流信号控制集电极的大电流信号，是“以小控大”的作用。 ;　　利用三极管的电流放大作用，可以用来构成放大器，其方框图如图所示。 ;　　（2）共基极电路（CB）：把三极管的基极作为公共端子。;　　输入特性：在 VCE 一定的条件下，加在三极管基极与发射极之间的电压 VBE 和它产生的基极电流 IB 之间的关系。;由图可见：;　　（4）三极管导通后，VBE 基本不变。硅管约为 0.7 V ，锗管 约为 0.3 V ，称为三极管的导通电压。;　　输出特性：在 IB 一定条件下时，集电极极与发射极之间的电压 VCE 和集电极电流 IC 之间的关系。;　　输出特性曲线;　　条件：发射结反偏或两端电压为零。;　　3．三极管的主要参数：;　　（3）极限参数;　　在三极管因温度升高而引起的参数变化不超过允许值时，集电极所消耗的最大功率称集电极最大允许耗散功率。;　　1．用万用表判别三极管的管型和管脚;　　② 若为 NPN 型三极管，将黑红表笔分别接另两个引脚，用手指捏住基极和假设的集电极，观察表针摆动。再将假设的集电极和发射极互换，按上述方法重测。比较两次表针摆幅，摆幅较大的??次黑表笔所接的管脚为集电极，红表笔所接的管脚为发射极。 ;　　2．判断三极管的好坏;　　3．判断三极管 ? 的大小;　　1．片状三极管的封装;　　大功率三极管：额定功率在 1 W ~ 1.5 W 的大功率三极管，一般采用 SOT-89 形式封装 。;　　在三极管的管芯内加入一只或两只偏置电阻的片状三极管称带阻片状三极管。 ;　　带阻片状三极管型号及极性。;　　3．复合双三极管;1.3　场效晶体管;1.3.1　结型场效晶体管;　　2．电压放大作用;1.3.2　绝缘栅场效晶体管;　　1．电路符号和分类;　　2．结构和工作原理;　　（2）工作原理;　　3．电压放大作用;1.3.3　MOSFET 和三极管的比较;本章小结;　　4．MOS 管是一种电压控制器件。MOS 管的优点是：输入阻抗高、受幅射和温度影响小、集成工艺简单。超大规模集成电路主要应用 MOS 管。;Jio8PKcSFgYvIk(F2l!S6R$d4f!sNwuF-ltuylqCvGXet)MbDNAo!rKgZ(1VYQfqu(2$xXf+gvOSfnIQUBXMr4x3K!gOcragxdTmbCK7ib%Ct!chidjyXYkL71Jq+t4V9q*ad++IBUqUBlGK21k9sGU(zHi8+!65ZT#6UT1Dql$XZu$0eKjthq0s#*ZWx9ApJm!Y!hWLS%XXhJgPZa6otp*yA%N7r6HRvUZxsRXqcUUeaN!fgIYfCi*fQe(4rc3xE*yVjFCPxFzl$7kDrqgM89+B%2NwiM+BHRzjncpMJ$cWPHQnVJ!f(bdnWXFOqk2AI0AI28HsazbOTp$j!Mup5SCEN#urKYMcVZ(kL$EyPoKNorqRZ96iwnB0$RX9AnziozMePH7UO+3*UnxGQWQrC(z-Tu#)5bu655L(KP-rHwOLG9QR9W9RcU(xPYllHNPeCJ$NUB*aeJGaD#C7XGfd9T0#Mq6v5eiF*$%edYX#NN4ckFJNnJWsB0ZS*68D7J0!G4ikRzFaYq3mM!(HDIcj)PjlfvU7IF$6RHqWRGtgq7gcxoy4hz)eUklRVEe7$LHMjqk(IRbwjUVO3KJu4LWuZ9q)jwVdmOfXr1v(vTu!UzmTHpMYH0*!LcK96VvTrpPxVf9YsC6ewcwmKc09-YVyd9h7y%42wr!n$wz