-3.1存储器系统综述3.2半导体随机读写存储器（RAM）3.3.ppt

一、存储系统的分类 磁芯存储器 磁芯是使用硬磁材料做成的环状元件，在磁心中穿有驱动线（通电流）和读出线，这样便可以进行读写操作。 体积庞大、工艺复杂且功耗大，已弃用。 半导体存储器 存储元件由半导体器件组成，存储器用超大规模集成电路工业制成芯片 优点：体积小，功耗低，存取时间短 缺点：存储容量相对较小，单位存储成本较高。 双极型（TTL）半导体存储器和MOS半导体存储器。后者集成度高且制造简单、成本低廉、功耗小，目前广泛应用。 磁表面存储器 在金属或塑料基体的表面涂上一层磁性材料作为记录介质。 按载磁体形状的不同，分为磁盘、磁带和磁鼓。 光盘存储器 光盘存储器是应用激光在记录介质（如磁光材料等）上进行读写的存储器，具有非易失性的特点。 光盘记录密度高、耐用性好、可靠性高和可互换性强等优良特点。 钻孔纸带 访存的局部性原理 局部性原理表现在：时间上和空间上 在一小段时间内，最近被访问过的存储单元很可能再次被访问。 在空间上，被访问的存储单元往往集中在一小片连续存储区。 因此：可以把程序和数据合理地分配在不同存储介质中。 3.数据在主存中的存放 在采用字节编址的情况下，数据在主存储器中的3种不同存放方法。设存储字长为64位（8个字节），即一个存取周期最多能够从主存读或写64位数据。读写的数据有4种不同长度，它们分别是字节（8位）、半字（16位）、单字（32位）和双字（64位）。请注意：此例中数据字长（32位）不等于存储字长（64位）。 （1）不浪费存储器资源的存放方法 现有一批数据，它们依次为：字节、半字、双字、单字、半字、单字、字节、单字。4种不同长度的数据一个紧接着一个存放。 （2）从存储字的起始位置开始存放 优点是：无论访问一个字节、半字、单字或双字都可以在一个 存储周期内完成，读写数据的控制比较简单。 缺点是：浪费了宝贵的存储器资源。 （3）边界对齐的数据存放方法 此方法规定，双字地址的最末3个二进制位必须为000，单字地址的最末两位必须为00，半字地址的最末一位必须为0。它能够保证无论访问双字、单字、半字或字节，都在一个存取周期内完成，尽管存储器资源仍然有浪费。 举例: 主存储器是整个存储系统的核心，由RAM和ROM构成, 并且是二者缺一不可。 RAM用来存放供用户随机读写的用户程序和数据，也可以作为系统程序的工作区，ROM用来存放系统程序。 本节从最基本的存储电路开始，分别介绍RAM和ROM的不同类型存储电路、工作原理、和各自所具有的特点,以及相应存储芯片的外特性。 刷新的概念： 刷新过程的实质是将原有信息读出，再由刷新放大器形成原信 息并重新写入的过程。刷新一次的时间等于一次读写操作的时间。 注意： 刷新和重写（再生）是两个完全不同的概念，切不可加以混淆。 ① 重写是随机的，某个存储单元只有在破坏性读出之后才需要 重写； 而刷新是定时的，即使许多记忆单元长期未被访问，若不 及时补充电荷的话，信息也会丢失。 ② 重写一般是按存储单元进行的，而刷新通常以存储体矩阵中的 一行为单位进行的。刷新是由刷新计数器提供行地址。 几种新型的RAM 技术及芯片类型 1．ECC RAM 2．EDO RAM和突发模式 RAM 3．同步RAM（Synchronous RAM，简称SDRAM） 4．高速缓冲存储器RAM5．RAMBUS内存 6．DDR?SDRAM 7．Virtual Channel Memory（VCM） 8．SLDRAM（Synchnonous?Link?DRAM） 1．ECC RAM ECC RAM 可以自动纠错的RAM 2. EDO RAM和突发模式RAM EDO技术是在当前读写周期中就启动下一个读写周期，比普通DRAM的读写速度可提高30%。突发模式在当前读写周期中就启动下面4个单元的操作，可更大地提高RAM的读写速度。 3. 同步RAM（SDRAM） CPU和RAM用同一个时钟，用步工作，比EDO速度还快。 4. 高速缓冲RAM（CDRAM） 把高速的SRAM集成到DRAM芯片中，作为DRAM的内部高速缓存。 5. RAMBUS内存 通过简化RAM结构来提高工作频率，进而提高传输速率。 6. DDR SDRAM DDR SDRAM是在时钟脉冲的上升沿和下降沿都传输数据的SDRAM，所以叫双倍速率SDRAM。常见的有PC1600(数据传输率1600GBps)和PC2600 (数据传输率2600GBps) 。 7. VCM VCM虚拟通道存储器，是一种缓冲式存