VLSI_Ch4_CMOS集成电路的制造_2016.pdf

第四章CMOS集成电路的制造 电信学院 本章主要内容  4.1 硅工艺概述  4.2 工艺材料层的形成  4.3 图形的产生：光刻与刻蚀  4.4 CMOS工艺流程  4.5 设计规则 西安交通大学电信学院 Chap4 2/129 4.1 硅工艺概述 几个概念：  芯片部位（Site ）  成品率（Yield ，Y ）  缺陷密度（D，单位cm-2 ） 西安交通大学电信学院 Chap4 3/129 本章主要内容  4.1 硅工艺概述  4.2 工艺材料层的形成  4.3 图形的产生：光刻与刻蚀  4.4 CMOS工艺流程  4.5 设计规则 西安交通大学电信学院 Chap4 4/129 CMOS工艺层 晶体管层 工艺层：是指具有不同电特性的区域。  p衬底  n阱 侧视图  n+  p+  栅氧化层  多晶硅栅  场氧(FOX) 顶视图  有源区 顶视图一般不画衬底和氧化层。 西安交通大学电信学院 Chap4 5/129 CMOS工艺层 互连层  一层氧化层Ox1  接触孔：实现Metal1 和FET的电连接 侧视图  一层互连Metal1  二层氧化层Ox2  通孔Via ：实现Metal1和 Metal2的电连接  二层互连Metal2 顶视图  三层氧化层Ox3 （与上图不对应） 西安交通大学电信学院 Chap4 6/129 4.2 工艺层的形成 工艺层形成所需图形的两种主要途径：  大多数工艺层是先形成（生长、淀积），再通过 光刻形成所需形状（SiO ，SiN ，多晶硅，金 2 4 属等）  “硅掺杂”工艺不同，先定义掺杂区域，再形成所 需形状（P+，N+, N阱等） 西安交通大学电信学院 Chap4 7/129 4.2.1 硅圆片(Wafer)工艺 （制造衬底） 制造只含有极少“缺陷”的单 晶硅衬底圆片。 “切克劳斯基法”：将一块称为 籽晶的单晶硅浸入熔融硅中， 然后在旋转籽晶