非晶ErAlO高k栅介质薄膜的制备及性能研究.pdfVIP

第29卷 第1期 电 子 元 件 与 材 料 V_01．29NO．1 2010年 1月 ELECTRONIC COMPONENTS AND M ATEIUALS Jan．2010 非晶ErA10高k栅介质薄膜的制备及性能研究 陈 伟 一，方泽波 ，谌家军 (1．西华师范大学 物理与电子信息学院，四川 南充 637002；2．绍兴文理学院物理与电子信息系，浙江 绍兴 312000) 摘要：采用射频磁控溅射法在 P型Si(100)衬底上成功制备了非晶Er203．AI2O3(ErAIO)栅介质复合氧化物薄膜。 研究了ErAIO薄膜的结构及电学特性。XRD测量显示，ErA10薄膜具有 良好的热稳定性，样品经过 900℃氧气氛 退火30min后仍保持非晶态结构 AFM照片显示，其表面粗糙度小于0．2nm，平整度良好。ErAIO栅MOS结构在 氧分压为1％时，薄膜的有效相对介电常数为9．5，外加偏压()为一lv时样品的漏电流密度为7．