背面钝化氮化硅膜的热稳定性研讨.pdfVIP

．746· 中国太阳能光伏进展 背面钝化氮化硅膜的热稳定性研究 章曙东1 张光春j’施正荣2’3朱拓2 1江南大学信控学院江苏无锡214122． 2江南大学理学院江苏无锡214122 3无锡尚德太阳能电力有限公司江苏无锡214000 【摘要】 本文主要针对氮化硅膜的背面钝化，研究在单晶硅及多晶硅衬底上氮化硅膜的 热稳定性及不同温度下氮化硅膜退火特性。通过测试少子寿命及电阻率，发现 单晶硅衬底上氮化硅膜的退火对衬底氧施主效应影响很大，多晶硅衬底上氮化 ’ 硅膜在合适的退火条件下热稳定性非常好。 【关键词】 背面钝化氮化硅退火 ofthermal ofrearsurface SiNfilm Study stability passivation ZHANG ZHANG SIll ZHUTu02 Shudon91 Guangchun3Zhengron92·3 1 SchoolofCommunicationControl 214122 Engineering。SouthernYangtzeUniverSity，Wuxi 2 Schoolof 214122 Science，SouthernYangtzeUniverSity，Wuxi 3 SuntcchWuxi214000 0引言 目前，主要有两种方法降低太阳电池的成本。第一，降低硅材料成本，促使硅片向薄片 化方向发展；第二，提高电池转换效率，研究主要集中在前表面的选择性扩散及背表面钝化 两个方向上。太阳电池向薄片化及高效化方向发展，背表面钝化将显得越来越重要，降低背 表面复合速率成为提高太阳电池转换效率的关键因素。 度长时间氧化才能得到。虽然这种钝化效果使太阳电池转换效率得到极大提升，但也带来许 多缺点。质量较差的单晶及多晶在长时间的高温条件下会诱生缺陷，导致少数载流子寿命下 降；因此，采用低温PECVDSiN膜钝化势在必行。很多研究表明口，31，PECVDSiN膜对轻 掺杂P型硅片和重掺杂n型硅片都有很好的钝化效果，双面SiN膜钝化太阳电池已经超过20％ 的转换效率【4】，过去的研究主要是在区熔FZ片的基础上进行的，本文主要在CZ单晶硅及熔 铸多晶硅衬底上进行SiN膜的热稳定性研究。 对于背面SiN膜钝化太阳电池，在扩散工艺过程中必须防止硅片背面有磷扩散进去，行 之有效的办法是在背面SiN膜钝化太阳电池制作过程中采用SiN膜作为背面掩膜进行扩散。 这一层SiN掩膜经过高温过程后，由于氢的外扩散，会影响到SiN表面钝化及体内钝化效果。 基础研究、新材料及新概念太阳电池 ．747． 钝化效果迅速变差o 的作用。第一，合适的退火条件可以进·步增强SiN膜表面钝化效果；。第二，退火可以改善 背面金属与硅片的接触电阻，进一步降低太阳电池的串联电阻值。本文研究了SiN膜在不同 的低温退火条件下对硅片钝化效果的影响。 验 我们选择材料相对较好，较稳定的CZ单晶片及熔铸多晶片进行实验，样片经过清洗、制 绒后制作成siN／p-Si／SiN样品，SiN膜采用HF-PECVD方法在4504CSiH4]NH3气氛下沉积。 我们对样品在氮气气氛下进行不同温度、不同时间的退火，通过准稳态光电导法(QSSPC) 测试少数载流子寿命来考察退火条件对SiN膜的钝化效果影响。． 2实验结果及讨论 2．1 单晶硅表面SiN膜的退火特性 硅片经退火处理后采用碘酒钝化的少子寿命。实验前我们对单晶硅片采用碘