磁控溅射沉积ZnO纳米薄膜以及及其TFT器件研究.pdfVIP

摘要 薄膜晶体管在有源矩阵寻址液晶显示器(舢viLCD)中处于关键地位，它的 研发历来是该领域研究中的重点。非晶硅薄膜晶体管(c【一SiTFT)易于在低温下 大面积制备，技术成熟，是目前使用最广的技术。但由于a．Si材料的禁带宽度 只有1．7eV，在可见光波段透过率较低，所以a．SiTFT的开口率未能达到100％， 这阻碍了显示器件性能的进一步提高。 氧化锌是一种II一Ⅵ族直接、宽带隙化合物半导体材料，具有优异的光学和 电学特性。常温下氧化锌禁带宽度为3．37eV，在可见光波段内具有高透过率， 这使得氧化锌成为制备透明电子器件的重要候选材料之一。用氧化锌(ZnO)做 有源层制备高性能的透明薄膜晶体管(ZnOTFT)，并用它来做像素开关元件应 用于有源矩阵，这可能使有源矩阵显示器性能得到较大提高。 本文第一章首先介绍了ZnO材料的研究现状，然后介绍了磁控溅射的发展 历史和背景。接下来简述了磁控溅射生长ZnO的背景。最后提出本文研究的内 容。 第二章首先介绍了本论文所使用的磁控溅射仪器，然后分析了在不同气氛下 利用磁控溅射方法生长ZnO薄膜的区别。最后详细介绍了磁控溅射法制备ZnO 薄膜的详细参数与工艺步骤。 第三章对一系列不同气氛条件下生长