微机原理第5章-存储器及其接口.pptVIP

5.3.1 存储器芯片与地址总线的连接 存储器：单片/多片存储器芯片组成 字选：选中芯片中存储单元（A0起） 片选：（余下高位线）选中芯片 （高位片选、低位字选） 存储容量与地址、数据线根数有关： 芯片的存储容量＝存储单元数*存储单元的位数 ＝ 2X*N X：地址线根数（P203，表5-1） N：数据线根数 如2764→8K×8→213×8→X=13 (A12～A0) N=8 (D7～D0) 注意：1.字选连接：A0起依次连接 2.片选连接：片选法 (1)线选法:将余下某根高地址线→片选端 （低电平有效） 简单，存储空间利用不够 (2)译码法：将余下某几根高地址线→译码器输入端→输出→片选端（低电平有效） 较简单，存储空间利用充分 线选法译码示例 A14 A12～A0 A13 (1) 2764 (2) 2764 CE CE A19～ A15 A14 A13 A12～A0 一个可用地址 1 2 ××××× ××××× 1 0 0 1 全0～全1 全0～全1 04000H～05FFFH 02000H～03FFFH 切记： A14 A13＝00的情况不能出现 译码器74LS138 (译码法用,3进8出) 多片、同型号芯片，组成存储器 例5.1 用8K×8的存储芯片组成容量为64K×8的存储器，共需多少片存储芯片？若用译码法连接，共需多少根地址线？其中几根作字选线？几根作片选线？试用74LS138画出译码电路，并标出其输出线的选址范围.若改用线选法能够组成多大容量的存储器？试写出各线选线的选址范围。 5.3.1 存储器芯片与地址总线的连接 * * * * * * * 微机原理、汇编与接口技术 (第2版) 5.1 5.2 5.3 存储器概述 常用的存储器芯片 存储器与CPU的接口 第5章 存储器及其接口 掌握计算机系统重要组成部分 5.1 存储器概述 5.1.1存储器的类型 1.与CPU关系：内存(直接、快速) 外存(间接、较慢) 2.材料分类：半导体(内存)、磁、光(外存) 3.读写方式分类：随机存储器RAM， 只读存储器ROM （并行、串行读写） 学习：半导体(内存)且并行 5.1.2 存储器的性能指标 存储器的性能指标（5项） 存储容量：存储的二进制位信息量， 表示为：容量=字数×字长. 微机中以字节编址，故为：容量=字节数×8位 存取速度 可靠性 功耗 性能价格比 5.1.3 存储器的分级结构 存储器的分级结构 3级结构：高速缓存、内存和辅存. CPU直接访问高速缓存和内存,不能直接访问辅存 CPU 高速缓存 主存（内存） 辅存（外存） 5.1 5.3 存储器概述 常用的存储器芯片 存储器与CPU的接口 第5章 存储器及其接口 5.2 5.2.1 半导体存储器芯片的结构 地 址 译 码 存储体 (存储矩阵） 控制逻辑 三态数据缓冲 R/W CS DN-1 An-1 D1 D0 A1 A0 5.2 常用的存储器芯片 5.2.1半导体存储器芯片的结构 ① 存储体 存储器主要部分，存储信息 ② 地址译码电路 (连接n条地址线) 据输入的地址来选中芯片内某存储单元 ③ 控制逻辑 选中存储芯片，控制读写操作（连接控制总线） ④三态缓冲器 (连接N条数据线) 实现读写操作(输入/输出)，高阻(隔离) 只读存储器 （ROM） 掩膜式ROM 一次性可编程ROM（PROM） 紫外线擦除可编程ROM（EPROM） 电擦除可编程ROM（EEPROM） 闪存/可编程快擦写ROM(FLASH/PEROM) 注意对比 5.2.2 只读存储器ROM 1. EPROM (27XX) 基本容量: 如： 2716→2K×8, 2732→4K×8，2764→8K×8， 27128→16K×8，27256→32K×8 EPROM芯片2716 存储容量为2K×8 →2K个字节存储单元 →16384个存储元件 # 8个存储元件/存储单元 24个引脚： 11根地址线A10～A0 8根数据线D7～D0 片选/编程CE*/PGM 读写OE* 编程电压VPP VDD A8 A9 VPP OE* A10 CE*/PGM D7 D6 D5 D4 D3 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 24