GaN基材料特性、所制器件、器件研究及其研究发展.docVIP

GaN基材料特性、所制器件、器件研究及其研究发展 1.引言： GaN是极稳定、坚硬的高熔点材料，熔点约为1700℃，GaN具有高的电离度，在Ⅲ—Ⅴ族化合物中是最高的（0.5或0.43）。在大气压力下，GaN晶体一般是六方纤锌矿结构。它在一个无胞中有4个原子，原子体积大约为GaAs的一半。是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SiC、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。因其硬度高，又是一种良好的涂层保护材料。下面我们来了解下GaN的化学特性、电学特性和光学特性。氮化镓（GaN）基半导体材料是继硅和砷化镓基材料后的新一代半导体材料，被称为第三代半导体材料，它具有宽的带隙，优异的物理性能和化学性能。氮化镓基激光器的波长可以覆盖从紫外光到可见光这样一个很宽的频谱范围，氮化镓基激光器在光信息存储、光显示、激光打印、激光全色显示、大气环境检测等领域有着重要的应用前景和巨大的市场需求。GaN基LED以其寿命长、耐冲击、抗震、高效节能等优异特性在图像显示、信号指示、照明以及基础研究等方面有着极为广泛的应用前景，成为半导体领域的研究热点，国内外很多科研机构和企业先后开展了GaN基材料、器件的相关研究，在材料质量、器件指标等方面取得了重要进展。同时对GaN基LED的可靠性也进行了比较深入的研究。1、GaN的化学特性 在室温下，GaN不溶于水、酸和碱，而在热的碱溶液中以非常缓慢的速度溶解。NaOH、H2SO4和H3PO4能较快地腐蚀质量差的GaN，可用于这些质量不高的GaN晶体的缺陷检测。GaN在HCL或H2气下，在高温下呈现不稳定特性，而在N2气下最为稳定。2、GaN的电学特性 GaN的电学特性是影响器件的主要因素。未有意掺杂的GaN在各种情况下都呈n型,最好的样品的电子浓度约为4×1016/cm3。一般情况下所制备的P型样品，都是高补偿的。 据有关研究人员报告GaN最高迁移率资料在室温和液氮温度下分别为μn=600cm2/v?s和μn=1500cm2/v?s，相应的载流子浓度为n=4×1016/cm3和n=8×1015/cm3。近年报导的MOCVD沉积GaN层的电子浓度数值为4×1016/cm3、1016/cm3；等离子启动MBE的结果为8×103/cm3、1017/cm3。未掺杂载流子浓度可控制在1014～1020/cm3范围。另外，通过P型掺杂工艺和Mg的低能电子束辐照或热退火处理，已能将掺杂浓度控制在1011～1020/cm3范围。? 3、GaN的光学特性 人们关注的GaN的特性，旨在它在蓝光和紫光发射器件上的应用。氮化镓晶体管是直接带隙半导体材料,在室温下有很宽的带隙(3.39eV)。它在光电子器件如蓝光、紫外、紫光等光发射二极管和激光二极管方面有着重要的应用。作为第三代半导体材料的代表，氮化镓（GaN）基材料可制成高效蓝、绿光发光二极管和激光二极管LD（又称激光器），并可延伸到白光，将替代人类沿用至今的照明系统。氮化镓（GaN）基材料奠定了解决白色发光二极管的基础，并且氮化镓蓝光LED相关材料及器件广泛应用于全色大屏幕显示器，高亮度LED交通信号和指针灯，以氮化镓为基础的高亮度半导体LED具有体积小、寿命长、功耗低等优点，并向着高亮度、全彩色、大型化方向发展。 GaN基紫外探测器具有太阳光盲（Solar-blind，也称为日盲）、量子效率高、能够在高温和苛性环境下工作等不可比拟的优点，在实际应用中可以做到虚警率低、灵敏度高、抗干扰能力强，受到了人们极大的关注。从应用角度来说，GaN基紫外探测器分为单元器件、阵列器件两种。单元器件由于不能用于扫描成像，从而限制了其应用领域，而紫外探测器阵列，特别是凝视型焦平面阵列，能够应用于成像系统，能够准确的判断目标，大大拓展了其应用空间。制备出大规模、高性能的GaN基紫外探测器焦平面阵列是GaN基紫外探测器发展的最高目标。大规模太阳盲GaN基紫外探测器焦平面的研制成功，对于增强我国科学技术实力有重大意义。正是因为GaN紫外探测器的巨大的应用前景，国际上已经在GaN紫外探测器方面取得了骄人的成绩，在2000年以前，主要集中在响应截止波长为365nm的可见光盲（Visible-blind）的GaN基紫外探测器的单元器件的制备，先后制备出肖特基结构、pin结构等多种结构的高性能的单元器件；在2000年以后，把目标主要集中在阵列器件和响应截止波长为280nm的太阳盲（Solar-blind, 也叫日盲）GaN基紫外探测器的研究上，不仅成功制备出响应截止波长为365nm的可见光盲的32×32、128×128的紫