3-MOSFET4-2到4-6节-光机所.pdfVIP

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2018-01-12 发布于浙江
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第4章 MOSFET 西安电子科技大学微电子学院贾新章 xzjia@xidian.edu.cn 2013年12月 4-2 MOSFET器件工作原理定量分析一、基本出发点 (1) 沟道电流沿水平方向(X 方向) ，沟道电流为多子漂移电流，载流子迁移率为常数。 (2) 栅与沟道之间电流=0 (3) 缓变沟道近似：沟道区中感应产生表面沟道的垂直方向电场（取决于VG ）远大于产生沟道漂移电流的水平方向电场（取决于VDS ）。沟道中可动面电荷密度Qn(x)=C (V -V )沿X方向“缓变” OX GX T 面电荷密度另一种表示：Q (x)=en(x)h(x) n 式中h(x)为X处导电沟道的厚度 4-2 MOSFET器件工作原理定量分析 4-2 MOSFET器件工作原理定量分析可以提取出阈值电压V 和迁移率μ T 4-2 MOSFET器件工作原理定量分析 2、饱和区（VDS ≥VDS(sat)= VGS-VT ） (1) 基本关系式饱和区电流保持漏端刚夹断时，即VDS=VDS(sat) 时的非饱和区电流不变，因此将非饱和区电流表达式中的VDS代为VDS(sat) = VGS-VT ，就得饱和区电流表达式 4-2 MOSFET器件工作原理定量分析可以提取出阈值电压V 和迁移率μ T 4-2 MOSFET器件工作原理定量分析 4-2 MOSFET器件工作原理定量分析 4-3 MOSFET器件阈值电压 MOS结构能带图预备知识 1、功函数：将位于费米能级的电子移至真空能级所需能量 2、半导体电子亲合能：将位于导带底的电子移至真空能级所需能量 3、半导体费米势Φ ： fp Φ =(E -E )/e fp i F 记掺杂浓度为Na 得：Φ =(kT/e)Ln(N /n ) fp a i 4-3 MOSFET器件阈值电压 4-3 MOSFET器件阈值电压一、理想MOS结构阈值电压 1、理想MOS结构近似条