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堂苎地等:采用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上生长p—Ga203薄膜
I
采用射频磁控溅射法在Si(I
I)衬底上生长D.Ga203薄膜
肖洪地,马洪磊,杨光,马瑾,林兆军,宗福建,张锡健,栾彩娜
(山东大学物理与微电子学院,山东济南,250100)
摘要:采用射频磁控溅射法在si(111)衬底上直接
2实验
沉积日一Ga203薄膜。通过x射线衍射光谱(XRD),原
采用常规射频磁控溅射仪在Si(111)衬底上淀积
子力显微镜(AFM)和傅立叶红外吸收光谱(FTdR)
研究了13-Ga203薄膜的生长和结构与退火温度之间的关
系。实验结果表明,直接沉积后的p、Ga203薄膜为非晶
烧结成的陶瓷靶作为源材料。靶的直径为6.4em,靶
态;当退火温度超过90012时,薄膜转变为多晶态,且
到衬底的距离为8cm。溅射气体使用N:,溅射气压为
晶粒随温度的增加而增大;与体材料的B.Ga203的声子
频率相比,B-Ga203薄膜的红外吸收峰出现明显蓝移。
关键词: 射频磁控溅射;B.Ga203:温度:薄膜
min。
Ga203薄膜在常压下开放的空气气氛中退火20
中图分类号:TN304.2+3 文献标识码:A
用Rigaku
文章编号: 1001.973l(2006)增刊.0001.03
1 引 言 用Nanoscope
的表面形貌。用Nicolet5DX傅立叶红外吸收光谱仪在
Ga203包括六方晶型(a—Ga203),单斜晶型
400~4000cm。的范围内对样品的缺陷进行了研究。
(D·Ga203),四方晶型(T-Ga203)等5种结构【I】,其
中D.Ga:O,足一种宽带隙且具有良好的化学和热稳定性3结果与讨论
的化合物。由于B.Ga203的光学带隙处于4.2~4.9eV[“1,
图1给出了在不同退火温度下(a.未退火,b.
导电性可从绝缘体到导体连续变化【,】,因此其可应用于
1 100℃)退火
高温化学气体传感器161,紫外透明导体[71,太阳能电池
181等方面。
阻看出.未经热退火的样品未出现除si衍射峰以外的
在薄膜电致发光平板显示领域中,氧基荧光材料
其它衍射峰。这表明该样品为非晶态,其原因可能是由
eV)和不易结晶的性质,曾
因为它们的宽带隙(E4
于在溅射过程中,溅射到衬底上的粒子的能量较低,没
并不被人们所看好。然而,随着一些关键技术的解决,
有过多的能量进行重捧,故形成非晶结构的薄膜【”1。由
D.Ga:03作为一种新型的氧基电致发光荧光体基材料
于热退火可以使薄膜由非晶态向内能最低的晶态转变,
19.I”,已经受到越来越多的关注。p-Ga203薄
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