采用射频磁控溅射法在Si111衬底上生长βGa2O3薄膜研究.pdfVIP

堂苎地等：采用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上生长p—Ga203薄膜 I 采用射频磁控溅射法在Si(I I)衬底上生长D．Ga203薄膜 肖洪地，马洪磊，杨光，马瑾，林兆军，宗福建，张锡健，栾彩娜 (山东大学物理与微电子学院，山东济南，250100) 摘要：采用射频磁控溅射法在si(111)衬底上直接 2实验 沉积日一Ga203薄膜。通过x射线衍射光谱(XRD)，原 采用常规射频磁控溅射仪在Si(111)衬底上淀积 子力显微镜(AFM)和傅立叶红外吸收光谱(FTdR) 研究了13-Ga203薄膜的生长和结构与退火温度之间的关 系。实验结果表明，直接沉积后的p、Ga203薄膜为非晶 烧结成的陶瓷靶作为源材料。靶的直径为6．4em，靶 态；当退火温度超过90012时，薄膜转变为多晶态，且