采用射频磁控溅射法在Si111衬底上生长βGa2O3薄膜研究.pdf

堂苎地等：采用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上生长p—Ga203薄膜 I 采用射频磁控溅射法在Si(I I)衬底上生长D．Ga203薄膜 肖洪地，马洪磊，杨光，马瑾，林兆军，宗福建，张锡健，栾彩娜 (山东大学物理与微电子学院，山东济南，250100) 摘要：采用射频磁控溅射法在si(111)衬底上直接 2实验 沉积日一Ga203薄膜。通过x射线衍射光谱(XRD)，原 采用常规射频磁控溅射仪在Si(111)衬底上淀积 子力显微镜(AFM)和傅立叶红外吸收光谱(FTdR) 研究了13-Ga203薄膜的生长和结构与退火温度之间的关 系。实验结果表明，直接沉积后的p、Ga203薄膜为非晶 烧结成的陶瓷靶作为源材料。靶的直径为6．4em，靶 态；当退火温度超过90012时，薄膜转变为多晶态，且 到衬底的距离为8cm。溅射气体使用N：，溅射气压为 晶粒随温度的增加而增大；与体材料的B．Ga203的声子 频率相比，B-Ga203薄膜的红外吸收峰出现明显蓝移。 关键词： 射频磁控溅射；B．Ga203：温度：薄膜 min。 Ga203薄膜在常压下开放的空气气氛中退火20 中图分类号：TN304．2+3 文献标识码：A 用Rigaku 文章编号： 1001．973l(2006)增刊．0001．03 1 引 言 用Nanoscope 的表面形貌。用Nicolet5DX傅立叶红外吸收光谱仪在 Ga203包括六方晶型(a—Ga203)，单斜晶型 400～4000cm。的范围内对样品的缺陷进行了研究。 (D·Ga203)，四方晶型(T-Ga203)等5种结构【I】，其 中D．Ga：O，足一种宽带隙且具有良好的化学和热稳定性3结果与讨论 的化合物。由于B．Ga203的光学带隙处于4．2～4．9eV[“1， 图1给出了在不同退火温度下(a．未退火，b． 导电性可从绝缘体到导体连续变化【，】，因此其可应用于 1 100℃)退火 高温化学气体传感器161，紫外透明导体[71，太阳能电池 181等方面。 阻看出．未经热退火的样品未出现除si衍射峰以外的 在薄膜电致发光平板显示领域中，氧基荧光材料 其它衍射峰。这表明该样品为非晶态，其原因可能是由 eV)和不易结晶的性质，曾 因为它们的宽带隙(E4 于在溅射过程中，溅射到衬底上的粒子的能量较低，没 并不被人们所看好。然而，随着一些关键技术的解决， 有过多的能量进行重捧，故形成非晶结构的薄膜【”1。由 D．Ga：03作为一种新型的氧基电致发光荧光体基材料 于热退火可以使薄膜由非晶态向内能最低的晶态转变， 19．I”，已经受到越来越多的关注。p-Ga203薄