151022第02章 MOS器件物理基础02 (1).pptxVIP

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2018-01-12 发布于浙江
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151022第02章 MOS器件物理基础02 (1).pptx

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模拟CMOS集成电路设计：时间：2009年12月10日;第2章 MOS器件物理基础;MOS器件物理基础;NMOS管的电流公式;MOS管的开启电压VTH及体效应;MOS管的开启电压VTH及体效应;MOS管的开启电压VTH及体效应;MOS管的开启电压VT及体效应;例2.3 P21;MOS管的开启电压VTH及体效应;考虑体效应衬底跨导 gmb;MOS管体效应的Pspice仿真结果;沟道夹断（VGS－VDS ≥ VTH）;沟道长度调制;MOSFET的沟道调制效应;MOS管沟道调制效应的Pspice仿真结果;MOS管跨导gm不同表示法比较;亚阈值导电特性;亚阈值导电特性;MOS管亚阈值导电特性的Pspice仿真结果;电压限制;第2章 MOS器件物理基础;MOS器件版图;MOS 低频小信号模型;MOS 低频小信号模型;MOS 低频小信号模型;例：求下列电路的低频小信号输出电阻(γ＝0);MOS 低频小信号模型;例：求下列电路的低频小信号输出电阻(γ＝0);例：求下列电路的低频小信号输出电阻(γ＝0);小信号电阻总结（γ＝0）;MOS器???电容; Ch. 1 # 33;减小MOS器件电容的版图结构; Ch. 1 # 35;;;NMOS器件的电容--电压特性;例：若W/L＝50/0.5，|ID|＝500uA，分别求: NMOS、PMOS的跨导及输出阻抗以及本征增益gmr0 （tox=9e-9 λn=0.1, λp=0.2 , μ n= 350cm2/V/s, μ p= 100cm2/V/s ）;40;41;42;VTO, KP, GAMMA, PHI, LAMBDA是器件参数. TOX, TPG, NSUB, NSS是工艺参数. 若用户仅给出了工艺参数, SPICE会计算出相应的器件参数.;44;本章基本要求;思考题;思考题2（选）