同轴任意槽形周期圆波导慢波结构小信号特性研究.pdfVIP

同轴任意槽形周期圆波导慢波结构小信号特性幸 岳玲娜王文祥魏彦玉宫玉彬 电子科技大学物理电子学院，成都，610054 摘要： 用阶梯近似的方法分析任意槽形加载的圆波导慢波系统中的场，采用自洽场 理论，得到了任意槽形周期加载圆波导慢波系统在小信号条件下的“热”色散方程， 并对结构参数对小信号增益的影响情况进行了研究。降低加载深度和槽口宽度，可在 某种程度上提高增益。 关键词：同轴任意槽形慢波结构小信号增益 1、引言 探索新型全金属慢波线是目前行波管发展的一个重要方向【1】，其中，对同轴圆盘 加载波导的研究证实，加入同轴内导体对于拓展系统的带宽有着积极的作用【2】。因此 研究同轴结构的周期慢波系统可以为我们寻求大功率宽频带的行波管提供新的思路。 通过对一系列同轴膜片周期加载慢波结构的研究结果表明【341，加载形状的变化对慢 波结构的色散特性有着较大的影响。在以往的工作中，我们已经用一个统一的色散方 程式来描述任意槽形周期加载圆波导的色散特性，本文将在此基础上对同轴任意槽形 周期加载圆波导的注波互作用进行线性理论研究。 2、同轴任意槽形慢波结构的热色散方程 带电子注的同轴任意槽形周期加载圆波导示意图如图1所示：乞是同轴内导体的 半径，％和‘为加载槽的内外半径。W为槽口的宽度，L为周期。在，．=ro处引入电子 数密度为他厚度为△％的环形电子注，电子初速度为矿=％己，其平衡态密度为： no=n。AroS(r—ro) (1) 为了分析方便，定义整个结构分为三个区域：互作用区，(吃≤r≤ro)、J7(Io≤r≤rb) 和槽区H(rh≤r≤t)。 kl f ，I 愍历缓黼f 7 图1同轴任意槽形周期加载圆波导纵剖面图 图2任意形状槽的阶梯近似表示 木教育部新世纪优秀人才支持计划资助 492 参照文献[5]的分析方法，将任意形状槽的边界用Ⅳ个尽可能逼近的矩形阶梯来 近似，每个阶梯距离中轴线的半径和阶梯宽度分别由，：l和Ⅵ来表示(如图2所示)， 并近似认为每个矩形阶梯内的电场仅有z向分量且均匀无变化№1。 根据导纳的定义，可以得到第九一1区的场在界面，．=％一：处的归一化导纳K一，(％一i)与 第n一1区的场在界面r=‘一。处的归一化导纳Kq(％一。)之间的关系： (2) 驯瞄～z)=R,n(krn_2,krn—t)‘西Yn-l(石rn-])两+S丽m(kr而nq,krn_2) 舯蹦卜怒粉黑卷^∽炉罴黑案舞。 并利用在同一交界面处的平均导纳相等的条件得到导纳递推关系(3)和初始条件(4)， 从而得到交界面r=唁处的导纳巧(珏)。 ㈤ k，雠z户Rm(krn-2,％卜l嚣筹案罴葛I 2 (4) 玢(啊一。)：』墅丝!生2二盘!生2蔓!生堡=1 l，m(grⅣ-i)‰(七J；)一‘，。(七J；)坛(krⅣ-1) 由周期结构中的Floquet定理可以得到互作用区J和，’的场表达式口“3。 在电子注表面(r=ro)，切向电场连续，纵向电场沿，．方向的导数满足阶跃条件阴： 盟dr 弼△∞2¨2 (5) I，：矿I，-矿型drlIr--胁-=一貉E《 其中△国=∞一成％为第s次空间谐波的多普勒频移，∞；=已2