成型工艺对高介单层微波陶瓷电容器性能的影响.pdfVIP

下载本文档

9
0
约1.06万字
约 3页
2018-04-07 发布于北京
举报
版权申诉

成型工艺对高介单层微波陶瓷电容器性能的影响.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

第29卷第5期电子元件与材料、，01．29No．5 ELECTRoNlCCoMPONENTSANDMATERIALS 2010 2010年5月 May 成型工艺对高介单层微波陶瓷电容器性能的影响吕贤亮，钟朝位，张树人 (电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，四川成都6l0054) 摘要：分别采用轧膜与流延两种成型工艺制备了SrTi03高介单层微波陶瓷电容器材料，对比研究了两种成型工艺对其结构与性能的影响．研究表明：对于轧膜工艺而言，电容器陶瓷材料的岛和密度随着轧膜次数增加呈单峰效应，瓷料脱辊后轧膜70次左右可获得表面平整、结构致密、介电性能良好的电容器陶瓷材料．和流延工艺相比，轧膜工艺制备的电容器陶瓷材料岛较大，电容量温度变化率较小．关键词：钛酸锶；高介单层微波电容器：轧膜工艺；流延工艺 doi：10．396明．issn．1001—2028．2010．05．003 中图分类号：TM534+．1 文献标识码：A 文章编号：lool·2028(2010)05-o008-03 0Iof on0nthetne 0Iof IntIUenCeInnuence f．0rming10rmlngDrocessDr0CeSSpropertiesproperneSSlngIesinglelaVerlayer microwaVeceramic with high capacitors permittivi够 L0 Shuren Chaowei，ZHANG Xiannang，ZHONG Films明d Scienccand of Thin (StateKeyLaboratI，叮ofElectronicIntegratedDeVices，UniVe璐时ofElectronicTechnology 6l0054，Chi豫) China’Chengdu microwaVe∞mmicm疵rialsof with two layer cap∽itor SrTi03h蛐pemittiV时w觞preparedby Abstnct：single roll e腧tsof kindsof twD“ndsof f-o咖ingproce豁includingf．omjngprocess粕dtape·c船tj力g舯Dcl潞．The fo删ing the of materiaIswere resultSindicate on microstmcturc柚d thatthe process propertie