宽禁带半导体材料及纳米材料的低温光致发光研讨.pdfVIP

宽禁带半导体材料及纳米材料的低温光致发光研究， 万寿科，孙学浩，张金福，王占国 (中国科学院半导体研究所材料科学实脸室。北京 100093) 摘 共:我们近期建立了一套迁用于宽禁带半导体 材料和纳米材料进行低滋PL侧试的系统.该系此片 2 低温、变温PL测试系统 MOCVD法生长，以适当配比双接Si.劝杂质的6H -GaN单晶薄膜进行91f.在300K时，A峰为带 本研究建成一套低沮、变沮PL侧试系统.其中 边峰，波长为367.1nm(3.375eV火B峰为Si.Zn 单色仪为法国的H25.波长范围 180-1000nm;探 发光峰，波长为429.8nm(2.883cV).B峰强度是A 侧器为GAM阴极的C31034型光电倍增管;傲发光 峰的14倍左右，该材料可作为制造蓝光LED的优 沮为日本Kimmo”公司的He-Cd橄光二 彼长为 良材质.对修N的6H-SiC单晶体在20kV高压下 325nm (3.8leV),功率为35mW.样品室采用美国 离于注入B(砚)，其浓度为IOwmca，进而在17000 APD公司的二级抓循环制冷铃.沮度范口42-300K 趁高滋下进行热处理获得P型sic样品，在4.76-130K 连续可调.控制柑度0.01K.PL信号由计算机自 进行史f3PL语浏全，其结采我们分析为A,B,C 动采典并处理。一次可完成多个样品侧云，必要时 峰泛带边峰，D峰为与周受主有关的峰.在130KIx 可对样品进行PLMapping溯f. 下，胶沮度降低A.B,C峰的能f和格度A渐次地 增强，符合半导体光致发光规律.其次。对挤不同 3双掺趾、Si杂质的6H-GaN的PL 杂质例如:Mn(住)、Hf粉)、Er(裤〕的硅映盆 谱 纳米材料进行了变03PL讲浏全，在蓝、妹光波段获 得极强的发光 此外，通过以上三种类型样品的侧 3#样昌是用MOCVD方法在。-Al20，衬底上 全林果，表明该PL侧试承眺其有实用、精确，快捷 双掺适当配比的Zn.Si杂质的 H‘-GaN单晶薄膜。 千特点。 PL侧it结果如图1所示。在300K时。A峰为带边 关键询:氮化稼:碳化硅;硅酸盆纳米材料:光致 发光峰波长为367.1am(3.375cV);B峰为Zn.Si 发光 杂质发光峰，波长为424.8ntn(2.883eV)。在室内照 明环境下肉眼可见到非常粗眼的强蓝光。未见黄、 1 引 言 红光波段的PL发射。B峰强度IA峰强度=14.结果 表明此种材料蓝光发光效率商，色谱纯 (未含黄、 近年来，由于MOCVDMBE等生长技术的突 红光)，是制造蓝光LED的优良材料。今后将在提 破性进展，使得GaN荃的几-V族氮化物、碳A硅外 高发光效串和减小B峰的半高宽尊方面深入研究。 延薄膜的光学电学性质得到显若的改替.致使宽禁 带半导体的光电舞件得到长足的发展.诸如 100 1nGaNfGaN异质结及GaNPn结由蓝光到萦光波长 曰〕 ; 的大功串光电二极管 (LED)的研究成功，蓝光激 -aa 之 的 . 光器(LD)和GaNIGH-S峪萦光探侧器的问世·随 孟f 着纳米材料近数年来的突飞猛进的发展，在蓝、绿 米 喊 门