第十一章 MOSFET概念深入.pptVIP

第11章 MOSFET概念的深入 11．1 非理想效应 11．2 MOSFET按比例缩小理论 11．3 阈值电压的修正 11．4 附加电学特性 11．5 辐射和热电子效应 11.1 非理想效应 亚阈值电流: 定义 非弹道输运MOSFET 沟道长度L0.1μm，大于散射平均自由程； 载流子从源到漏运动需经过多次散射； 载流子运动速度用平均漂移速度表征； 弹道输运MOSFET 沟道长度L0.1μm，小于散射平均自由程； 载流子从源到漏运动大部分没有一次碰撞-弹道输运； 高速器件、纳米器件； 恒定电场按比例缩小(Full Scaling) 尺寸与电压按同样比例缩小 电场强度保持不变 最为理想，但难以实现 p型半导体表面注入受主杂质Na（如B）→半导体表面净掺杂浓度↑→表面更难以反型→VT↑ 1、Delta函数型分布 11.3 阈值电压修正 短沟道效应 窄沟道效应 阈值电压调整 漏源击穿BVDS：漏pn结击穿，与VDS、VGS均有关 击穿现象 VGS↑＝BVGS→氧化层电场强度Eox临界电场强度EB＝(0.5~1)x107V/cm时，氧化层发生介电击穿 当氧化层厚度50nm时，BVGS=30V，若EB＝6x106V/cm，则要求工作电压VGS10V（安全余量为3） 击穿过程 针孔→凹坑→空洞→崩塌 电流I↑→温度T↑→电流I↑，形成热电正反馈 击穿场强的来源 栅压VGS：Eox≈VGS/tox 栅感应电荷QI：Eox≈QI/toxCox 短沟道器件穿通特性曲线 DMOS(双扩散MOSFET) 埋沟MOSFET SOI结构(绝缘体上硅) 将器件制作在绝缘膜或绝缘衬底上形成的单晶硅上。 MOSFET在弱反型区存在所谓“亚阈值电流”。该电流与栅源电压及漏源电压呈指数关系。 MOSFET在饱和区的有效沟道长度随漏源电压的增加而增加，导致漏源电流略微增加，形成所谓“沟道长度调制效应”。此效应在短沟道和低掺杂衬底中才显著。 沟道迁移率随沟道横向电场和纵向电场的增加而下降。在强的横向电场下，载流子在沟道中的漂移速度将会达到饱和，此时漏源电流与栅源电压呈线性关系 缩小MOSFET尺寸可以提高集成度和工作速度。器件尺寸与工作电压按同样比例缩小较为理想，但难以实现。 在短沟道和窄沟道条件下，阈值电压会随沟道长度和沟道宽度的变化而变化。在实际工艺中常采用离子注入来调整阈值电压。 栅源介质击穿和漏体pn结击穿是MOSFET主要击穿机构。短沟道器件可能会出现沟道雪崩倍增，引发寄生晶体管效应或热电子效应。 离化辐照会引入氧化层电荷和界面态，导致阈值电压漂移和迁移率退化。 注意，阈值电压与半导体表面净掺杂浓度成正比。 由于MOSFET的高输入阻抗，因摩擦或感应在栅极上形成的静电电荷无法释放，积累之后就会造成栅的击穿。 正常工作条件下，寄生npn管发射结零偏，不能导通，对MOSFET的工作没有影响；发生上述作用后，寄生npn管发射结正偏，有可能导通，对MOSFET的工作有影响。 正常工作条件下，寄生npn管发射结零偏，不能导通，对MOSFET的工作没有影响；发生上述作用后，寄生npn管发射结正偏，有可能导通，对MOSFET的工作有影响。 低掺杂漏区（Low Doping Drain）结构， 在正栅压下的附加氧化层电荷可能会使增强型MOSFET变成耗尽型MOSFET。// 书上把亚阈值电流错写为阈值电流。 此电子能量高于热平衡能量（如达到1.5eV，而热平衡能量为0.026eV左右），故称为热电子。电子比空穴更容易“热”。//LDD结构可以抑制热电子的产生。 11.5 可靠性效应 辐射产生界面态:特性2 界面态的生成还会受氧化层电场的影响。 离化辐照后，界面态密度逐渐上升，并在100～1000s后才能达到其稳定值 11.5 可靠性效应 热电子效应 在漏区附近的沟道中因雪崩倍增产生的高能电子，有可能受正栅压所产生的纵向电场作用，越过Si-SiO2界面势垒，进入SiO2层中，此电子的能量比热平衡是要高很多，因此称为热电子。 产生栅电流（pA~fA量级）。 产生负的充电效应，引入负氧化层电荷，使VT正向漂移。 热电子能量较大会产生附加的界面态，使迁移率及跨导下降。 作用： 11.6 小结 1 11.6 小结 2 课外作业 1、什么是速度饱和现象？它对MOSFET的I-V特性有何影响？ 2、什么是MOSFET的亚阈特性？对电路工作有何影响？ 3、为什么通常情况下反型层中载流子的迁移率不是常数？ 5、对于长沟道场效应晶体管，其电流饱和的机理是＿＿＿；而对于短沟道沟道场效应晶体管