电子电路基础_第二章(1)_唐恬.pptxVIP

电子电路基础;本章概述;2.1 双极型晶体管 1947年12月16日，美国贝尔实验室的肖克莱、 巴丁和布拉顿组成的研究小组，研制出一种点 接触型的锗晶体管，1956年这三人因此或诺贝 尔物理学奖！ 本章学习的晶体管由两个背靠背的PN结构成， 其中电子和空穴都参与导电，所以称为双极性结型晶体管（BJT），下章将要学习的场效应管只有一种载流子参与导电，缩写为FET 晶体管的结构：;2.1 双极型晶体管 2.1.1 晶体管的工作原理 晶体管的四种工作状态（注：注意发射结门限电压） 例题：判断以下晶体管工作状态;2.1 双极型晶体管 2.1.1 晶体管的工作原理 内部载流子运动规律：本节主要讨论放大状态下的 载流子传输过程（发射结正偏，集电结反偏） 从高掺杂N+的电子电流角度看： 丛少子及基区低浓度多子电流角度 看，还存在很小的： ;2.1 双极型晶体管 2.1.1 晶体