电子电路基础_第三章_唐恬.pptxVIP

电子电路基础;本章概述;场效应管的分类 通过改变电场强度控制半导体导电能力的有源器件 仅有一种载流子参与导电，根据参与导电的载流子不同，有电子作为载流子的N沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件 输入阻抗高、抗辐射能力强、热稳定性好、功耗低、集成度高 缺点是跨导比较低;3.1 MOS场效应管 3.1.1 增强型MOS场效应管 一、N沟道增强型MOS管的结构（简称增强型NMOS管）;3.1 MOS场效应管 3.1.1 增强型MOS场效应管 二、增强型NMOS管的基本工作原理 晶体管各级正反偏确定其工作状态，MOS管 类似，MOS管也有不同工作组态 NMOS管多出衬底B，在正常应用时场效应管 的PN结都应是反偏，也即应满足vBS≤0，单个 的增强型NMOS放大电路通常将衬、源极短接， 即令vBS=0，在集成电路中因为MOS管的衬底 是公共的，NMOS的B极应接最低电位 电路计算思路与晶体管类似： 找Q点：VGSQ、IDQ 算参数：gm、rds 画模型：微变信号模型 求指标：Av、Ri、Ro;3.1 MOS场效应管 3.1.1 增强型MOS场效应管 二、增强型NMOS管的基本工作原理 1、栅源电压vGS对MOS管沟道的影响 将源极与衬极连接，再令vDS=0，逐步施加正向电压vGS： （1）vGSVGS(th)时，栅极下形成耗尽层， vGSVGS(th)时，以反型层构成导电沟道