基于平面工艺硅探测器的β伏打微核能电池.pdfVIP

第31卷第1l期 核电子学与探测技术 V01．31No．11 2011年11月 NuclearElec响nicsDetection Nov2011 Technology 基于平面工艺硅探测器的D伏打微核能电池 张 凯，何高魁，黄小健，刘 洋，孟 欣，郝晓勇 (中国原子能科学研究院，北京102413) 摘要：简要叙述了利用平面工艺硅探测器和放射性同位素构成的B伏打微核能电池的原理，比较 了不同灵敏面积硅探测器对p伏打微核能电池开路电压的影响。实验证明，单个B伏打微核能电池的 V～O．3 开路电压可达到O．15 V，采用串、并联方式可以获得较大的输出功率。 关键词：B伏打微核能电池；平面工艺；硅探测器 中图分类号： TL814 文献标识码： A 文章编号： 0258J0934(2011)11．1218J05 Mechanical 随着MEMS(Micro—electron 对，这些电子一空穴对在较强自建电场的作用 System)技术的发展，MEMs器件的应用领域日 下分别向N区和P区漂移并被收集。空穴进 益广泛，为MEMS在微小体积内的功能集成化入P层(负极)使电势升高，电子进入N层(正 提供了可能性，随之而来的就是要解决这些微 极)使电势降低，于是在P—N结两极就形成了 小体积内功能元件所需要的微型能源。微型能 B电压，使势垒高度降低，从而在P—N结内部 源采用的有热电、热离子、热光电流、太阳能和 就形成了p辐射产生的电流厶，这就是P—N 核能等能源。其中核能是指从放射性衰变的能 结的B辐射电压效应。 量转换到电的能量，目前常用的方法有B粒子 当P—N结开路时，B粒子产生的电流厶 与P—N结一起构成的微型电池。B伏打微核 和正向电流，8(p电压作用下P—N结的正向 能电池是将B粒子的能量直接转换为电能，这 电流)相等，P—N结两端建立起稳定的势垒 种电池体积小、重量轻、结构简单、独立操作性 比，这就是p伏打微核能电池的开路电压比。 好，可有效地应用于航空、航天等领域，也可以 如果将P—N结与外电路接通，只要B粒子一 作为一个单元集成在系统中，它的使用寿命长， 直辐照着，就会有源源不断的电流通过电路，这 可不间断供电数十年，这些都满足了MEMS体时P—N结在B粒子的作用下起到了电源的作 系对能源的要求。 用，这就是B伏打微核能电池的基本原理，如 图1所示。 1 B伏打微核能电池的工作原理 口段铽电子 硅探测器的P—N结存在着较强的自建电 场和几十¨m的耗尽区厚度，当p射线垂直入 射到P—N结面时，通过薄窗(O．12“m)进入到 》 耗尽区，在耗尽区内损耗能量产生电子一空穴 尸-区耗尽区‘^L区 (a) 呦 收稿日期：2011一09—15 图l B射线垂直入射