应用双埋层SOI工艺制备低g值微惯性开关.pdfVIP

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2018-01-21 发布于北京
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应用双埋层SOI工艺制备低g值微惯性开关.pdf

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第20卷第5期光学精密工程 VoI．20No．5 andPrecision 2012年5月 0ptics Engineering May．ZOl2 文章编号 1004—924X(2012)05’1076—08 应用双埋层SOI工艺制备低g值微惯性开关王超。，吴嘉丽，陈光焱 (中国工程物理研究院电子工程研究所，四川绵阳621900) 及喷雾式涂胶工艺，研制了一种基于平面矩形螺旋粱的低g值微惯性开关。利用二氧化硅KoH腐蚀／IcP刻蚀自停止的特点，平面矩形螺旋梁厚度的精度为土o．46 pm。分析了双埋层sol材料的电学特性，采用等电位技术，实现了双埋层 SoI与上下两层硼硅玻璃的阳极键合。采用玻璃无掩模湿法腐蚀技术，在玻璃封盖底部设计制作了大小为200Ⅱm×200 pm的防粘连凸台，解决了芯片在清洗干燥过程中的粘连问题。采用ICP刻蚀用硅衬片方法，解决了IcP刻蚀工艺中高温导致的金硅共晶合金问题。实验验证显示，提出的方法效果较好．芯片成品率得到较大提高，为大批量地研制低g值微惯性开关提供了可靠的工艺基础。关键词：低g值微惯性开关；双埋层sol；等电位；防粘连；硅衬片中围分类号：TM564；TN305文献标识码：A doi：lO．3788／0PE1076 ManufactureOf microinertialswitch low—g utilizing S01withdouble buried layers WANGChao‘，WUJia—li，CHEN Guang-yaⅡ (j竹s“}饥卯o，EZPf￡ro竹ifE玎gi，2eP一聍g，C^i雄4Ac岔de，nyD，E行gi刀PPri行gP^了5ifs， 621900，I[冼i竹口) Mi口行y口行g *(10rr已j夕。打di珂g血“￡^or，点优4iZ：zuc^40．Zz，雅s@g力嘻口i￡．com microinertialswitchbasedonthe helical was Abstract：Alow—g planarrectanguIarsp“ng developed doubleburied andthe tech aSOI(Silicoll-0n—Insulator)waferwith byuti“zing layers manufacturing KOH and etching，Inductance spray nologyincluding CoupledP1asma(ICP)etching，anodicbonding onthe forKoH andICP oftheburied self-stoptechnique etching etching layers，the