应用于太阳电池的单晶硅上化学镀镍工艺.pdfVIP

第3l卷第5期 太阳能学报 V01．31．No．5 2010年5月 ACTAENERGIAE soL～RlsSlNICA May．2010 文章编号：oz．s4-0096(zow)os-0625．05 应用于太阳电池的单晶硅上化学镀镍工艺 周春兰，刘 维，王文静，李海玲，赵 雷，刁宏伟 (中国科学院电工研究所，北京100190) 摘要：研究了在P型单晶硅上扩散的N区发射极上选择性化学镀镍工艺，获得了较为优化的化学镀工艺过程， 得到了均匀致密的镀层。其中针对单晶硅表面的特点，采取了浓酸浸泡和I-IF处理以及氯化钯的活化方法，使得镀 层质量得以提高。进行了合金化处理温度对合金层的电阻率影响的研究，结果发现在M气氛下330。C的热处理将 会促进具有最低方块电阻的Ni．si合金的形成。在方块电阻为45叫口的发射极上，化学镀后得到了方块电阻为 刎口的Ni-Si合金层。 关键词：单晶硅；电接触；化学镀；镍 中图分类号：TK514文献标识码：A (XRD)方法分析在不同热处理温度下镍．硅合金层 O 引 言 的结构。通过四探针方法检测最终合金层的导电性 太阳电池的金属化从效率和成本两个方面对太 能。 阳电池的制备都起着重要作用[1’2】。据估计，在太阳 1化学镀镍工艺 电池的所有工艺中，传统的丝网印刷技术以及烧结 衄和m浆料占总工艺成本的40％，因此降低太阳 化学镀镍的基本原理是：溶液中，在具有催化活 电池金属化成本非常重要。化学镀镍是一个低成本 性的固体表面上发生化学反应，由还原剂将镍离子 的工艺，金属化过程是一个非常简单的低成本工艺， 还原成镍原子，镍原子沉积在固体表面形成金属镍 并且非常容易实现自动化，可以同时实现前电极和 层。一般化学镀镍是利用镍盐溶液在强还原剂次亚 背电极；由于镍的沉积是选择性的，并不会带来材料 磷酸钠的作用下，使镍离子还原成金属镍，同时次亚 的损失；沉积的镍是可以焊接的。Ni跟si一般在相磷酸钠盐分解析出磷，因而在具有催化作用的表面 对较低的温度下发生反应，在界面处形成金属硅化 镀件上，获得Ni．P合金镀层。具体可分为以下几个 物[3]。由于硅化物是金属性的，并且它们与硅之间 反应过程bJ： 1)化学沉积Ni—P合金镀液在加热时不起反应， 的界面形态morphology非常均匀，在硅器件中被用 作接触层。硅化物．硅界面在硅上形成了一个肖特 而是通过金属的催化作用，次亚磷酸根离子 基势垒，如果这个势垒高度非常低或者其宽度非常 窄，那么硅化物．硅界面可以被当作一个欧姆接触界 (H王嘎一)，同时放出初生态原子氢： 面‘引。 本文研究了在单晶硅发射极表面采用化学镀镍 将上两式合并即为： 方法沉积的镍膜的形貌和性能以及在经过合金化热 处理之后镍．硅化合物的形成机制；利用扫描电子显 2)初生态原子氢被吸附到催化金属表面使其 微镜(SEM)研究活化处理导致的沉积薄膜形貌的差活化，从而使镀液中的镍阳离子(Ni2+)还原，在催化 异以及在不同沉积时间内镍膜的表面形态。为了研 金属表面上沉积金属镍： 究镍一硅化合物的形成机制，采用掠入射X射线衍射 Ni2++2[H]一Ni+2H+ 收稿日期：2008．IO-25 基金项目：国家重点基础研究发展(863)计划(2006AAOSZ405：2006AA042345) 通讯作者：周春兰(1977一)，女，副研究员，主要从事硅基太阳电池方面的研究。出ouchl@mail．ice．∞．L-II 626 太 阳 能 学 报 3l卷