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CoolMOS™ CE
应用于小功率充电器的技术说明
目录
超级结MOSFET与标准MOSFET的差异
性能对比
CoolMOS CE 在10.6W充电器中的性能评估
CoolMOS CE 在15W充电器中的性能评估
在线支持
结论
November 26, 2014 Copyright © Infineon Technologies AG 2014. All rights reserved. Page 2
超级结CoolMOS™ CE与标准MOSFET的差异
标准MOSFET的寄生电容更大，进而导致更高的栅极电荷以及在输出电容中存储更多的能量- 效率低
November 26, 2014 Copyright © Infineon Technologies AG 2014. All rights reserved. Page 3
评估板: 10.6 W KPOS 充电器
项目信息 评估板实物
轻薄型旅游充电器
（KPOS 设计）
输入电压: 85-264Vac
输出电压: 5.3Vdc
输出电流: 最高2.0A
输出功率: 最高10.6W
拓扑: 峰值电流型控制反激变换器(变频)
开关频率: 满载时47K-50kHz
输入侧有EMI滤波器
直流导通电阻Rdson: 1.4ohm
尺寸: (45x31x12)mm3
被测器件
原边控制器: BCD360 峰值电流控制
原边高压MOSFET: IPS65R1K5CE
平均效率 （在PCB末端测试） 80%
空载输入功率 20mW @ 230Vac
非波谷开关
November 26, 2014 Copyright © Infineon Technologies AG 2014. All rights reserved. Page 4
MOSFET Datasheet 参数 (典型值)
耐压 Rdson 最大值 栅极电阻 Eoss [uJ] Qg [nC]
被测器件 技术 封装 Vdss(br) [mΩ] VDS_300V, VDS_480V,
[V] ~2A, VGS_10V, [Ω] VGS_0V Id_2A,
Tj_25°C VGS_10V
IPS65R1K5CE 超级结 IPAK 650 1500 6.5 0.8 10.5
对手A 标准 IPAK 650 1450 8 1.4 15.8
对手B 标准 IPAK 700 1700 1.0 1.3 20
对手C 标准 IPAK 650 1300 3.5 1.6 33
CoolMOS™ CE 与目前市场主要产品对比情况
a 最大RDS(on)决定了满载应用中的导通损耗进而决定MOSFET的壳温，通常情况下壳温需要低于90°C
b Rgate （栅极电阻）减轻因低栅极电荷引起的振荡，从而减小EMI
c Eoss 描述了输出电容Coss存储的能量
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