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小 结 二极管状态判断 作 业 2.4.1 2.4.3 2.4.5 2.4.6 2.4.8 2.4.12 * 2.4 二极管基本电路及其分析方法 2.4.1 二极管正向V- I 特性的建模 2.4.2 应用举例 2.4.1 二极管正向V- I 特性的建模 1. 理想模型 正向导通时，其管压降vD＝0 V，相当于开关闭合。 反向截止时，其电流iD ＝0，电阻为无穷大，相当于开关断开。 具有这种理想特性的二极管也叫做理想二极管。 当电源电压远大于二极管的管压降时，可利用此模型分析法。 开关 -vD+ iD 2.4.1 二极管正向V- I 特性的建模 2. 恒压降模型 正向导通时： VD=0.7V (硅管) VD=0.3V (锗管) 反向截止时： iD＝0 （实际上vD0.7V时，iD=0） 2.4.1 二极管正向V- I 特性的建模 3. 折线模型 Vth—门坎电压（约为0.5V） 当加正向电压大于Vth时： vD随iD增加而线性增加。 此时： vD=Vth＋iDrD rD=（0.7V－0.5V)/1mA＝200Ω 4. 小信号模型 二极管工作在正向特性的某一小范围内时，其正向特性可以等效成一个微变电阻。 即 根据 得Q点处的微变电导 则 常温下（T=300K） 2.4.1 二极管正向V- I 特性的建模 为Q点处切线斜率的倒数 2.4.2 应用举例 1. 二极管的静态工作情况分析 理想模型 （R=10k?） （1）VDD=10V 时 恒压模型 （硅二极管典型值） 折线模型 （硅二极管典型值） 设 （2）VDD=1V 时 （自看） 例2.4.2 提示 2.4.2 应用举例 2. 限幅电路 二极管截止 二极管导通 vO=vI vO=VREF+Vth+(vI-VREF-Vth) rD /(rD+R) 例2.4.3 : 2.4.2 应用举例 3. 开关电路 vO 优先导通，vO箝位在0V 承受反压截止 0V VCC (5V) 0V 5V 5V 截止 截止 5V 5V 0V 导通 截止 5V 0V 0V 截止 导通 0V 5V 0V 导通 导通 0V 0V D2 D1 vO 二极管工作状态 vI1 vI2 4.7KΩ vI1 vI2 D1 D2 5V vO=5V 是一与门电路 2.4.2应用举例 例2.4.4： VI = 10V，变化 ＋ 1V时， VD?0.7V ID ?0.93mA 4. 低电压稳压电路 求?vD = 5.58mV I vD=0.7V±0.00279V 假设D截止（开路），求D两端开路电压 VD ? 0.7V D正向导通 - VBR VD ? 0.7V D反向截止 ID = 0 (开路) VD ? - VBR D反向击穿 VD = - VBR (恒压) VD = 0.7V (恒压降) 将不同状态的等效电路（模型）带入原电路中，分析vI和vO 的关系 状态 等效电路 条件 画出电压波形和电压传输特性 特殊情况：求?vD（波动） 小信号模型和叠加原理 恒压降模型 例题1：2CP1（硅），IF=16mA，VBR=40V。求VD、ID。 (a) (b) (c) (d) 正偏 正偏 反偏 反偏 iD IF ？ D反向截止 ID = 0 VD = -10V D反向击穿 iD = ？ vD = ？ 本题二极管状态判断方法 假设D截止（开路），求D两端开路电压 普通：热击穿－损坏 齐纳：电击穿 VD = - VBR= -40V VD 0V D正向导通 - VBR VD ? 0V D反向截止， ID = 0 VD ? - VBR D反向击穿， VD = - VBR D正向导通 D正向导通！ 二极管状态判断 例题2. 电路如图所示，判断D的状态 解： 先断开D，求二极管端电压 则接D阳极的电位为-6V，接阴极的电位为-12V。 导通后，D的压降等于零，即A点的电位就是D阳极的电位。 所以，AO的电压值为-6V。 以O为基准电位，即O点为0V。 VD = -6V -(-12V) = 6V 0 ? D接入时正向导通。 例题3： 一限幅电路如下图（a）所示，R=1kΩ,UREF=3V。（1）当ui=0V、6V时，用两种模型分别求输出uo的值；（2）当ui=6sinωt V时，画出输出电压uo的波形（用理想模型）。 二极管应用电路举例 当| ui (t)| UON时