Bi2Ti2O7薄膜的反应离子刻蚀及原子力显微镜研讨.pdf

BilTi207薄膜的反应离子刻蚀及原子力显微镜研究 王 卓’，孙大亮 ，‘胡季帆2，许效红’，王 栋 ，‘王 民’，王 弘 ，‘ 王春雷，，陈焕益 ，‘房昌水 ，‘刘训春3，魏 坷3 (I.山东大学 晶体材料国家重点实验室，2.山东大学物理系.山东济南250100; 3.中国科学院微电子中心，北京)0000I1 摘 要:采用金满有*.re合物分解 (MOD)法#.l备 Bi4Ti,0,z是一种典型的铁电材料·但事实上并非完 出B}T,,O，介电薄膜.然后在，60C退火30min得到 全如此 ·Bi2ThO7脚瓷其有铁电性.[A 我们和 (III)取向的Bi刃八薄成.首次成功地对B60,,31 AQ.Tiang先生曾指HJotnBi;M30v月民立方结构. 薄膜进行了反应离于刻仕。谈用的气体分别为孰气 具有铁电性而S.Shimada和王弘先生刻认为Bi2TJ夕， (02).7t承化硫气体(S,凡)、三氏甲沈气体(CHF3) 属立方结构，其晶格参数a=20.68既没有压电性， VA及SFJCHF3116合气体.来用原于力显橄镜和X舫 也没有铁电性4;n,因此，近几年在B}Ti2O，材料的 线衍封对退火前后的Bi,15,0,薄膜的形跳和姑构进 晶体结构问肠上形成两种对立的观点. 行了对比分析.姑果表明，退火谕B毛AO，薄成为 近几年，Ranade,Aldridge和Corporation等人采 多晶薄膜，晶粗间距松徽，无定里取向.退火后的 用RIE反应器在室沮环境下成功地完成了反应离子 薄膜中，结品徽粗拍列紫密，王现出收级的取向性. 刻蚀归.。在刻蚀过程中，SF.,CHF，和SF/.CHF,混 原子力显徽忱图像还显示出薄成生长的各向异性. 合气体作为刻蚀气体在半导体工作中显示出巨大的 关锐词:Bi,19,07薄腆;反应离子刻蚀.旅子力显橄 应用前景m.本文中我们首次报道分别采用SF6.CHF, 锐 和SFfCHF,混合气体成劝地对B}Tl刃，落膜进行了 反应离子刻蚀 (RIE)的实验工作。 1 引 言 2 实 验 当前许多技术被用于制备钦酸锡薄膜.它们包 括 :脉冲激光脉冲沉积 (PLD)法、金属有机化合 分别采用商纯度的敏暇四丁两和硝酸秘作为前 物分解 (MOD)法、戮射法、溶胶一凝胶法、分子 驭体溶液.将Bi困仇》，·SFI=0于800C真空脱水，加 束外延法、化学溶液沉积 (CSD)法以及金月有机 热溶于冰险酸中，冷却中逐滴加入铁酸四丁醋并不 化学气相沉积 (MOCVD)澎AI。其中MOD技术被 断搅拌，再加乙二醉甲聪调节溶液的浓度和粘度， 广泛的用于制备各种载化物薄腆.其原因是此方挂 过连掉溶掖中的杂质和惫浮物，得到B切刃7薄膜 具备许多优点，如 容峨控制组分，成膜沉积沮度 的前驱体溶液，随后在超净工作台内进行旋转被腆， 并在400T加热分解20min使其变为无机非晶态称 较低，与各种类型衬底的相容性较好.而且成腆方 腆，最后离沮退火使其结晶形成B47=0,薄腆。较 式简便，成本较低。因而，MOD技术在花腆制备及 厚的薄膜可通过制备多层腆而得到。实牲中我们采 材料探索方面使用得极为广泛。本文中我们报道采 用 (111)取向的P型硅作衬底，硅片的直径为3英 用MOD技术制备Bi2TI刃薄腆·用原子力显橄姚 寸。 (AFM}和X射线衍射 (XRD)方挂对BisT1,0,傅 实验中我们认宾研究了刻蚀气体的组分、压力、 膜的表面形貌和结构进行了研究分析。 流t以及刻蚀功率以及刻蚀翻压功率的大小。刻蚀