C60固体InP接触电学性质研究.pdf

上 卜 饭 ￡ L r . ! 1 - 1 于 C。固体/InP接触电学性质， 泛 陈开茅’，衰放成’z，陈妮兮 ，‘郭建栋’，徐晓琳’，张伯蕊’，乔永平’，朱美栋 查 ‘ (I.北京大学物理系，J晾 100871;2泉州师院物理系.福建 泉州 362000〕 ‘ 摘 要:在真空中，将Co膜渡积在n型和p型Inp Plpn(l00)单晶外延片。在这些Inp片的背面傲好欧 村底上形成喃 固体InInp和q 团体l问a两种接 姆接触以后。将其正面用N践,OH:H八:H，。按体积 触。以及时它们的电学性质作了研究，结果表明它 比为2%二%‘:92%的房蚀液去层约 loam.然后将这 们均足民好的异质站，对于C司a-Inp，势全高度的 些底片用去离子水冲洗千净和用商纯N2气吹千并立 典型位为0.698成 在t1V偏压时。其整流tt大于 刻送进超高真空 (UHV)室等待作q淀积.Cm粉 10;对于Ctp-Inp，势全高度典型位为0.719OV以 末是用通常的交流电弧法生产的和盆复使用液相色 及在t2V偏压时，其整流比大于1护.深能饭瞬态讲 层法提纯的。在BALZERSUMS-S00UHV系统中 (DLTS)浏全表明，C动nP界面上存在若与样品有 将纯度为99.9哟 与粉末热升华到inP晶片的正面 1 卜 盈 关的电于陷阶，其密度不高，意味琦q膜对IRP表 上。喃升华前弃空室真空度为1.3x100Pa,兔淀积