DMCPS电子回旋共振等离子体沉积的SiCOH低介电常数薄膜结构及物性研讨.pdf

第25卷增刊 真空科学与技术学报 J0uRNALOFVACUUMSCIENCEAND 2005年12月 TECHNOIZ)GY(a皿姐) DMCPS电子回旋共振等离子体沉积的SiCOH 低介电常数薄膜结构及物性研究 叶超’ 宁兆元王婷婷俞笑竹 (苏州大学物理科学与技术学院苏州215006) andMicrostructuresofLow-KSiCOHFilmsGrownElectron Properties by ResonancePlasmaof Cyclotron Ye andYuXiaozhu Chao。，NillgZhaoyuan，WangTlngtlng (School Saenceand ofPhysws T翻mology，SuzhouUnttersny，Suzhou，215006，Chum) AbstractLaw electron chermcalde- thelectncconstant，K=2．88，SaCOH films慨grownby cyclotron陀即瑚峨(ECR)plasmavapor m 61瞄，annealed poslt】On(CVD)with 400℃，dmplayhl曲 flletmal breakdownandlow stahhty，lllgh voltage l咖current． Lowelectricconstant rc$onance films，Electron Keywords cyclotron plasma 了介电常数为288的StCOH低介电常数薄膜。薄膜经400oc热处理后，膜厚减小，最大相对变化率小于15％，呈现较好的热 稳定性。薄膜在1MV／cm场强下的漏电流为89×10一A／cnf，且场强达到2．5MV／cm时，未发生击穿现象，具有较优越的绝 缘性能。因此，采用ECR-CVD技术和DMCPS源可以制备热稳定性优良的、绝缘性能优越的低介电常数StCOH薄膜。 关键词低介电常数薄膜电子回旋共振等离子体 中图分类号：0484 文献标识码：A 文章编号：1672-7126(2005)增一097-04 随着微电子技术的快速发展，2010年左右将进形成立体鼠笼结构，形成本构空气隙，降低介质密 入65ilia及其以下线宽的纳电子器件时代。为了解度；(2)在薄膜中引入热稳定性较差的碳氢大分子， 决由器件尺寸减小和器件密度提高带来的诸多问 通过后续热处理去除碳氢大分子，形成空气隙，降低 题，第二代(超)低介电常数(低K)材料得到人们极介质密度。 大关注[卜引。作为65啪及其以下线宽纳电子器件 从溶胶．凝胶技术[4]发展到等离子体增强的化 中超低Ⅳ介质的主要候选材料[2】2多孔SiCOH低鬈学气相沉积(PEC、Ⅲ)技术[5|，从链结构源(如三甲基 薄膜，具有从低石材料发展为超低心材料(k2．0)硅氧烷，3MS)到环结构源(如四甲基环四硅氧烷， 的可延展性、较好的热稳定性等许多重要优点，成为 近期(超)低k材料研究工作的重点[5]。 备的多孔SiCOH低k材料[5,6】，形成的空气隙尺寸 与选择低极化键来降低介电